[發(fā)明專利]處理半導(dǎo)體加工部件的方法及由之形成的部件

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910007098.2
• 申請(qǐng)日: 2004-04-14
• 公開（公告）號(hào): CN101527256A
• 公開（公告）日: 2009-09-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: Y·納倫德拉;R·F·巴克利;A·G·黑爾;R·R·亨斯特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/00
• 分類號(hào): H01L21/00;H01L21/205;H01L21/311;H01L21/683
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 陳哲鋒

1.一種處理半導(dǎo)體加工部件的方法，該方法包括下面步驟：

使在部件表面部分包含的污染物在升高溫度下反應(yīng)，形成反應(yīng)產(chǎn)物，所述的 外表面部分的表面粗糙度小于約2微米。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用SIMS，在距部件表面10nm 的深度處測定，所述部件沿部件外表面部分的雜質(zhì)含量小于約1000ppm。

3.包含碳化硅的半導(dǎo)體加工部件，該部件的表面粗糙度Ra小于約2微米， 采用SIMS，在距部件表面10nm的深度處測定，所述部件沿部件外部部分的雜質(zhì) 含量小于約1000ppm。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述部件包含基材和其上的碳化 硅涂層。

5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述部件經(jīng)過機(jī)加工至Ra小于 約2微米。

6.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述雜質(zhì)含量小于約500ppm。

7.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述雜質(zhì)含量小于約200ppm。

8.用來接受半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體加工部件，該部件的表面粗糙度Ra小于約2 微米，采用SIMS，在距部件表面10nm的深度處測定，所述部件沿部件外部部分 的雜質(zhì)含量小于約1000ppm。

9.包含SiC的半導(dǎo)體加工部件，其特征在于，所述部件的外表面部分具有的 表面雜質(zhì)含量不大于整體雜質(zhì)含量的10倍。

10.如權(quán)利要求9所述的部件，其特征在于，在距外表面部分的外表面至少3 微米的深度處測定所述整體雜質(zhì)水平。

11.如權(quán)利要求9所述的部件，其特征在于，所述外表面部分由CVD-SiC組 成。

12.如權(quán)利要求11所述的部件，其特征在于，所述外表面部分是沉積在基材 上面的CVD-SiC層。

13.如權(quán)利要求12所述的部件，其特征在于，所述基材包含SiC。

14.如權(quán)利要求13所述的部件，其特征在于，所述基材包含浸漬有元素硅的 SiC。

15.如權(quán)利要求14所述的部件，其特征在于，所述基材包含浸漬有元素硅的 重結(jié)晶的SiC。

16.如權(quán)利要求12所述的部件，其特征在于，所述CVD-SiC層厚度在約 10-1000微米范圍內(nèi)。

17.如權(quán)利要求11所述的部件，其特征在于，所述部件是自由選定的CVD-SiC 部件。

18.如權(quán)利要求17所述的部件，其特征在于，所述部件基本由CVD-SiC組成。

19.如權(quán)利要求9所述的部件，其特征在于，所述表面雜質(zhì)含量不大于整體 雜質(zhì)含量的5倍。

20.如權(quán)利要求9所述的部件，其特征在于，所述表面雜質(zhì)含量不大于整體 雜質(zhì)含量的2倍。

21.如權(quán)利要求9所述的部件，其特征在于，所述表面雜質(zhì)含量不大于整體 雜質(zhì)含量。

22.如權(quán)利要求9所述的部件，其特征在于，所述表面雜質(zhì)和整體雜質(zhì)含量 基于下面的至少一種的濃度：Cr，F(xiàn)e，Cu，Ni，Al，Ca，Na，Zn，V，B和Ti 的濃度。

23.如權(quán)利要求22所述的部件，其特征在于，所述表面雜質(zhì)和整體雜質(zhì)含量 基于Cr和Fe濃度的至少之一。

24.如權(quán)利要求23所述的部件，其特征在于，所述表面雜質(zhì)和整體雜質(zhì)含量 基于Fe濃度。

25.如權(quán)利要求23所述的部件，其特征在于，整體雜質(zhì)含量不大于1E17原 子/cc?Fe和不大于1E15原子/cc?Cr。