[發(fā)明專利]半導體器件的制造方法、半導體器件以及配線基板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910006987.7 | 申請日: | 2009-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN101515554A | 公開(公告)日: | 2009-08-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 堀內(nèi)章夫;宮坂俊次 | 申請(專利權(quán))人: | 新光電氣工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/58 | 分類號: | H01L21/58;H01L21/60;H01L23/485;H01L23/12 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 顧紅霞;彭 會 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導體器件 制造 方法 以及 配線基板 | ||
1.一種半導體器件的制造方法,包括:
半導體芯片安裝步驟:把半導體芯片安裝在支撐板上,并使所 述半導體芯片的設(shè)置有多個端子電極的一側(cè)露出來;
絕緣層形成步驟:形成絕緣層以覆蓋所述半導體芯片的設(shè)置有 多個端子電極的一側(cè);
穿通電極形成步驟:形成穿通電極,所述穿通電極與所述端子 電極連接并穿透所述絕緣層;
金屬配線形成步驟:在所述絕緣層上形成與所述穿通電極連接 的金屬配線;以及
外部端子電極形成步驟:在所述金屬配線上形成用于使所述金 屬配線與外部連接的外部端子電極,
其中,相鄰的所述外部端子電極之間的間隔大于相鄰的所述端 子電極之間的間隔,并且
所述半導體芯片安裝步驟包括:
金屬膜形成步驟:在所述支撐板上形成第一金屬膜,并且 在所述第一金屬膜上形成第二金屬膜;
安裝孔形成步驟:使所述第二金屬膜形成用于安裝所述半 導體芯片的安裝孔;以及
安裝和粘接步驟:把所述半導體芯片裝入所述安裝孔,并 用粘合劑把所述半導體芯片粘接在所述安裝孔中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件的制造方法,
其中,所述半導體芯片安裝步驟是用粘合劑把所述半導體芯片 粘接在所述支撐板上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體器件的制造方法,
其中,所述支撐板是銅板或科瓦鐵鎳鈷合金板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體器件的制造方法,
其中,所述絕緣層是由環(huán)氧系樹脂或聚酰亞胺系樹脂制成的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件的制造方法,
其中,所述安裝孔形成步驟是把干膜抗蝕劑沉積在所述第二金 屬膜上,使所述干膜抗蝕劑曝光和顯影以形成與所述安裝孔相對應(yīng)的 抗蝕圖案,然后蝕刻形成有所述抗蝕圖案的所述第二金屬膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的半導體器件的制造方法,
其中,所述支撐板是銅板、科瓦鐵鎳鈷合金板、鎳板和玻璃纖 維環(huán)氧樹脂板中的任一種板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的半導體器件的制造方法,
其中,所述第一金屬膜含有金。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的半導體器件的制造方法,
其中,所述第二金屬膜是由銅制成的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件的制造方法,
其中,所述半導體芯片安裝步驟包括:
安裝孔形成步驟:使所述支撐板形成用于安裝所述半導體 芯片的安裝孔;以及
安裝和粘接步驟:把所述半導體芯片裝入所述安裝孔,并 用粘合劑把所述半導體芯片粘接在所述安裝孔中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導體器件的制造方法,
其中,所述安裝孔形成步驟是把干膜抗蝕劑沉積在所述支撐板 上,使所述干膜抗蝕劑曝光和顯影以形成與所述安裝孔相對應(yīng)的抗蝕 圖案,然后蝕刻形成有所述抗蝕圖案的所述支撐板。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導體器件的制造方法,
其中,所述支撐板是銅板或科瓦鐵鎳鈷合金板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





