[發(fā)明專利]襯底加熱設(shè)備、半導體裝置制造方法以及半導體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910006816.4
• 申請日: 2009-02-27
• 公開（公告）號: CN101521146B
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 柴垣真果
• 申請（專利權(quán)）人: 佳能安內(nèi)華股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/324
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038
• 代理人: 柴毅敏

1.一種襯底加熱設(shè)備，其包括絲極和加速電源，所述絲極布置在 真空加熱容器中并連接至絲極電源以產(chǎn)生熱電子，所述加速電源用于 使所述熱電子在所述絲極與形成所述真空加熱容器的一個表面的傳導 加熱器之間加速，以便使由所述絲極產(chǎn)生的熱電子碰撞所述傳導加熱 器并加熱所述傳導加熱器，

其中所述傳導加熱器用熱解碳涂覆，并且

其中所述傳導加熱器的內(nèi)表面和外表面中至少之一用碳化鉭 (TaC)涂覆。

2.一種半導體裝置制造方法，包括使用根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯 底加熱設(shè)備在真空中加熱離子注入碳化硅(SiC)襯底的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括在真空中的加熱過程中添 加包含硅(Si)和氫(H)中至少之一的氣體的步驟。

4.一種通過根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法制造的半導體裝置。