[發(fā)明專利]利用犧牲材料的半導(dǎo)體構(gòu)造的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910006730.1
• 申請日: 2002-03-26
• 公開（公告）號: CN101488473A
• 公開（公告）日: 2009-07-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 耶海爾·哥特基斯;戴維·魏;羅德尼·基斯特勒
• 申請（專利權(quán)）人: 蘭姆研究有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/027;H01L21/31
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 曹 若

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括：

形成復(fù)數(shù)個晶體管結(jié)構(gòu)于基板上；

形成復(fù)數(shù)個交互連接金屬化結(jié)構(gòu)于復(fù)數(shù)個階層中，所述復(fù)數(shù)個交互連接金屬化結(jié)構(gòu)的形成包括：

沉積犧牲層；

進(jìn)行雙重鑲嵌工藝以蝕刻復(fù)數(shù)個渠溝與復(fù)數(shù)個通孔，以及

填滿且平坦化所述復(fù)數(shù)個渠溝與所述復(fù)數(shù)個通孔，

對所述復(fù)數(shù)個交互連接金屬化結(jié)構(gòu)的所述復(fù)數(shù)個階層從頭到尾地蝕刻掉所述犧牲層，該蝕刻留下空隙的交互連接金屬化結(jié)構(gòu)；以及

藉著低K介電材料填滿所述空隙的交互連接金屬化結(jié)構(gòu)，該填滿用以界定低K介電質(zhì)的交互連接金屬化結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述制造方法還包含：

形成鈍化層于被填滿的所述空隙的交互連接金屬化結(jié)構(gòu)上方。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述犧牲層是介電質(zhì)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述介電質(zhì)是二氧化硅(SiO₂)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述蝕刻包括：

使所述犧牲層遭受濕蝕刻劑。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述濕蝕刻劑是氫氟酸(HF)和去離子水(DI水)的混合物。