[發明專利]具有波導的高頻構件組件

有效

• 申請號: 200910006548.6
• 申請日: 2009-02-17
• 公開（公告）號: CN101515659A
• 公開（公告）日: 2009-08-26
• 發明（設計）人: 藤田晶久
• 申請（專利權）人: 株式會社電裝
• 主分類號: H01P1/04
• 分類號: H01P1/04;H01P3/12
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 康建峰;高少蔚

技術領域

本發明涉及具有波導的高頻構件組件，其中扼流結構布置在兩個彼此 附著的高頻構件之間的附著區域內的波導附近。

背景技術

高頻器件具有彼此附著的一對高頻構件，并且所述構件各自具有作為 波導的彼此導通的波導部分。圖1是高頻器件的截面圖和器件的高頻構件 的俯視圖，以示出在日本專利申請首次公布No.2007-336299中公開的 波導的連接結構。圖2是高頻器件的截面圖和器件的高頻構件的俯視圖， 以示出在日本專利No.3995929中公開的波導的連接結構。

如圖1和圖2所示，高頻器件具有表面彼此附著的兩個高頻構件101 和102(或者101和103)。所述構件具有彼此導通的各自的波導部分104， 以形成單一的波導104。波導104在構件的附著表面開口上。電磁波通過 波導104傳輸。為了防止電磁波從構件的附著表面之間的附著區域泄露， 在構件102中形成扼流槽105以通過構件102的一部分包圍構件102的波 導部分104(見圖1)，或者在構件103中形成兩個扼流槽106以通過構件 103的一部分朝向構件102的波導部分104(見圖2)。每個扼流槽設置為 從波導部分104的開口端部離開λ/4(λ表示電磁波的真空波長)，并且深 度為λ/4。

用此結構，甚至當在構件101和102(或者101和103)的附著表面 之間形成開口空間時，包圍波導104的構件102(或者103)的內壁也可 以被視為是電短路點。因此，具有構件101和102(或者101和103)的 高頻器件可以防止電磁波從構件之間的開口空間泄露。特別地，與不完全 地包圍波導104的扼流槽106相比，在全部方向上包圍波導104的扼流槽 105可以可靠地防止波的泄露。

然而，當在高頻構件中形成單一的扼流槽以包圍構件的波導104的開 口端部時，形成具有被扼流槽包圍的波導104的高頻器件是很麻煩的。

特別地，當在具有波導部分的板狀構件中形成扼流槽時，首先沖壓所 述構件以形成在構件的厚度方向上穿透構件的扼流孔，接著扼流孔的一個 開口端部被具有印刷的接地導線圖案的電介質基板覆蓋，以從扼流孔形成 扼流槽。

然而，因為扼流槽通過構件的壁部分包圍波導部分，因此需要用支撐 構件來支撐所述壁部分直到用電介質基板覆蓋扼流孔。

因此，很難形成在彼此附著的高頻構件之間的附著區域內在全部方向 上包圍波導部分的扼流槽。即，高頻構件的一部分不可避免地保留在扼流 槽的端部之間，因而電磁波從高頻構件的所述部分泄露。在此情況下，波 導對電磁波的傳輸效率降低，并且第一波導從與第一波導相鄰的第二波導 的隔離效果變差。

發明內容

考慮到現有的高頻器件的缺陷，本發明的目的是提供一種高頻構件組 件，其中可靠地布置扼流結構以在彼此附著的高頻構件之間的附著區域內 包圍波導。

根據本發明的一個方面，通過提供一種包括具有第一附著表面的第一 高頻構件和具有第二附著表面的第二高頻構件的高頻構件組件實現該目 的。附著表面彼此附著以在組件的厚度方向上堆疊高頻構件。第一高頻構 件包括第一波導孔和第一扼流槽。第一波導孔在厚度方向上延伸以具有在 第一附著表面上開口的第一端部。第一扼流槽在第一附著表面上開口并沿 第一波導孔的第一端部延伸以從第一波導孔的第一端部離開預定距離。第 二高頻構件包括第二波導孔和第二扼流槽。第二波導孔在厚度方向上延伸 以具有在第二附著表面上開口的第二端部，并且與第一波導孔導通以從波 導孔形成波導。電磁波通過波導在厚度方向上傳輸。第二扼流槽在第二附 著表面上開口以與第一扼流槽導通，并且沿第二波導孔的第二端部延伸以 從第二波導孔的第二端部離開所述預定距離，并且用第一和第二扼流槽在 高頻構件之間的附著區域內大致地包圍波導。

用高頻構件組件的這種結構，波導的壁用作通過波導傳輸的電磁波的 電短路點。此外，第一和第二扼流槽形成的扼流結構設置為從波導離開預 定距離，并且在高頻構件之間的附著區域內大致地包圍波導。

因此，甚至當在高頻構件之間形成開口空間時，組件也能夠防止電磁 波從開口空間泄露。

此外，不是單一的扼流槽包圍波導，而是布置在各個構件的第一和第 二扼流槽包圍波導。因此，每一個扼流槽能夠容易地在對應的構件中形成。 因此，能夠容易地在組件中布置包圍波導的第一和第二扼流槽。