[發明專利]像素結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200910006532.5
• 申請日: 2009-02-17
• 公開（公告）號: CN101510529A
• 公開（公告）日: 2009-08-19
• 發明（設計）人: 林祥麟
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/768;H01L21/28;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 梁 揮;祁建國

1.一種像素結構的制造方法，其特征在于，包含：

形成一第一圖案化金屬層于一基板上，該第一圖案化金屬層包含一柵極、一柵極延伸電極、一第一數據線段以及一第二數據線段；

形成一柵極絕緣層覆蓋于該基板以及該第一圖案化金屬層上；

形成一半導體通道層于該柵極上方的該柵極絕緣層上；

形成一第二圖案化金屬層于該柵極絕緣層和該半導體通道層上，該第二圖案化金屬層包含一源極、一漏極、一柵極線以及一共通電極，其中該源極和該漏極對應于該柵極兩側上方的該半導體通道層上，該共通電極位于該第一數據線段的上方；

形成一保護層覆蓋于該柵極絕緣層和該第二圖案化金屬層上；

同時形成多個第一接觸孔以及多個第二接觸孔，其中該些第一接觸孔分別露出該第一圖案化金屬層中的該柵極延伸電極和該第二數據線段，該些第二接觸孔分別露出該第二圖案化金屬層中的該柵極線、部分該源極以及部分該漏極；以及

形成一導電層覆蓋該些第一接觸孔和該些第二接觸孔，使得該第二圖案化金屬層中的該柵極線通過該導電層經該第一接觸孔和該第二接觸孔與該第一圖案化金屬層中的該柵極延伸電極電性連接，且該第二圖案化金屬層中的該源極通過該導電層經該第一接觸孔和該第二接觸孔與該第一圖案化金屬層中的該第二數據線段電性連接。

2.根據權利要求1所述的像素結構的制造方法，其特征在于，同時形成該些第一接觸孔和該些第二接觸孔的步驟更包含：

蝕刻該第一圖案化金屬層上方的該柵極絕緣層和該保護層。

3.根據權利要求1所述的像素結構的制造方法，其特征在于，該導電層為一圖案化透明導電層。

4.根據權利要求1所述的像素結構的制造方法，其特征在于，該導電層包含一柵極線連接電極，該柵極線連接電極電性連接該柵極線和該柵極延伸電極。

5.根據權利要求1所述的像素結構的制造方法，其特征在于，該導電層包含一數據線連接電極，該數據線連接電極電性連接該源極和該第二數據線段。

6.根據權利要求1所述的像素結構的制造方法，其特征在于，同時形成該些第一接觸孔以及該些第二接觸孔的步驟利用同一道光掩模工藝完成。

7.根據權利要求1所述的像素結構的制造方法，其特征在于，形成該些第一接觸孔以分別露出該第一圖案化金屬層中的該柵極延伸電極和該第二數據線段的步驟包含：

移除該柵極延伸電極上方的部分該柵極絕緣層及該保護層以及移除該第二數據線段上方的部分該柵極絕緣層及該保護層。

8.根據權利要求1所述的像素結構的制造方法，其特征在于，形成該些第二接觸孔以分別露出該第二圖案化金屬層中的該柵極線、部分該源極以及部分該漏極的步驟包含：

移除該柵極線上方、該源極上方以及該漏極上方的部分該保護層。

9.根據權利要求1所述的像素結構的制造方法，其特征在于，該導電層包含一像素電極，該像素電極覆蓋該漏極上的該第二接觸孔。

10.一種像素結構，其特征在于，包含：

一第一圖案化金屬層，配置于一基板上，并包含一柵極、一柵極延伸電極、以及一第一數據線段以及一第二數據線段；

一柵極絕緣層，覆蓋于該基板以及該第一圖案化金屬層上；

一半導體通道層，配置于該柵極上方的該柵極絕緣層上；

一第二圖案化金屬層，配置于該柵極絕緣層和該半導體通道層上，并包含一源極、一漏極、一柵極線以及一共通電極，其中該源極和該漏極位于對應該柵極兩側上方的該半導體通道層上，該共通電極位于該第一數據線段的上方；

一保護層，覆蓋于該柵極絕緣層和該第二圖案化金屬層上；

多個第一接觸孔以及第二接觸孔，同時形成于該第一圖案化金屬層上的部分區域和該第二圖案化金屬層上的部分區域上，該些第一接觸孔露出該第一圖案化金屬層中的該柵極延伸電極和該第二數據線段，該些第二接觸孔露出該第二圖案化金屬層中的該柵極線、該源極以及該漏極；以及

一導電層，覆蓋該些第一接觸孔和該些第二接觸孔，該第二圖案化金屬層中的該柵極線通過該導電層經該第一接觸孔和該第二接觸孔與該第一圖案化金屬層中的該柵極延伸電極電性連接，且該第二圖案化金屬層中的該源極通過該導電層經該第一接觸孔和該第二接觸孔與該第一圖案化金屬層中的該第二數據線段電性連接。