[發(fā)明專利]磁記錄再現(xiàn)頭以及磁記錄再現(xiàn)裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910005841.0
• 申請(qǐng)日: 2009-02-05
• 公開（公告）號(hào): CN101510427A
• 公開（公告）日: 2009-08-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 椎本正人;中川健;片田裕之;伊藤直人;目黑賢一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社日立制作所
• 主分類號(hào): G11B5/39
• 分類號(hào): G11B5/39;G11B5/012;G01R33/09
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 許海蘭

1.一種磁記錄再現(xiàn)頭，其特征在于，具有再現(xiàn)頭和與上述再現(xiàn)頭鄰接配置的記錄頭，該再現(xiàn)頭具有：從基板側(cè)依次層疊了具有第一自由層的第一磁阻效應(yīng)元件、差動(dòng)間隙層、具有第二自由層的第二磁阻效應(yīng)元件的層疊結(jié)構(gòu)；配置在上述層疊結(jié)構(gòu)的外側(cè)的一對(duì)電極；以及配置在上述電極的外側(cè)的一對(duì)磁屏蔽，上述第一磁阻效應(yīng)元件與上述第二磁阻效應(yīng)元件相對(duì)同一方向磁場(chǎng)具有逆相的電阻變化，從而進(jìn)行差動(dòng)動(dòng)作，

上述第一自由層與上述第二自由層的內(nèi)側(cè)的距離和作為磁記錄介質(zhì)的物理長(zhǎng)度的記錄位長(zhǎng)之比為0.6以上1.6以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄再現(xiàn)頭，其特征在于，上述第一自由層與上述第二自由層的內(nèi)側(cè)的距離和上述記錄位長(zhǎng)之比為0.8以上1.4以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄再現(xiàn)頭，其特征在于，上述記錄頭為具備主磁極和副磁極的垂直記錄用頭。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁記錄再現(xiàn)頭，其特征在于，在上述主磁極的尾部側(cè)具有尾部屏蔽，在軌道寬度方向的兩側(cè)具有側(cè)面屏蔽。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁記錄再現(xiàn)頭，其特征在于，還在上述主磁極的頭部側(cè)具有頭部屏蔽。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄再現(xiàn)頭，其特征在于，上述第一磁阻效應(yīng)元件為從上述基板依次層疊了第一固定層、第一中間層、第一自由層的層疊膜，

上述第二磁阻效應(yīng)元件為從上述基板依次層疊了第二自由層、第二中間層、第二固定層的層疊膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄再現(xiàn)頭，其特征在于，上述第一磁阻效應(yīng)元件為從上述基板依次層疊了第一自由層、第一中間層、第一固定層的層疊膜，

上述第二磁阻效應(yīng)元件為從上述基板依次層疊了第二固定層、第二中間層、第二自由層的層疊膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄再現(xiàn)頭，其特征在于，上述差動(dòng)間隙層由從Cr、Cu、Pd、Ag、Ir、Pt、Au、Mo、Ru、Rh、Ta、W、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er的組中選擇的至少一種元素或包含這些元素的合金構(gòu)成。

9.一種磁記錄再現(xiàn)頭，其特征在于，具有再現(xiàn)頭和與上述再現(xiàn)頭鄰接配置的記錄頭，該再現(xiàn)頭具有：從基板側(cè)依次層疊了具有第一自由層的第一磁阻效應(yīng)元件、差動(dòng)間隙層、具有第二自由層的第二磁阻效應(yīng)元件的層疊結(jié)構(gòu)；配置在上述層疊結(jié)構(gòu)的外側(cè)并且兼作一對(duì)電極的一對(duì)磁屏蔽，上述第一磁阻效應(yīng)元件與上述第二磁阻效應(yīng)元件相對(duì)同一方向磁場(chǎng)具有逆相的電阻變化，從而進(jìn)行差動(dòng)動(dòng)作，

上述第一自由層與上述第二自由層的內(nèi)側(cè)的距離和作為磁記錄介質(zhì)的物理長(zhǎng)度的記錄位長(zhǎng)之比為0.6以上1.6以下。

10.一種磁記錄再現(xiàn)頭，其特征在于，具有再現(xiàn)頭和與上述再現(xiàn)頭鄰接配置的記錄頭，該再現(xiàn)頭具有：從基板側(cè)依次層疊了具有第一自由層的第一磁阻效應(yīng)元件、差動(dòng)間隙層、具有第二自由層的第二磁阻效應(yīng)元件的層疊結(jié)構(gòu)；為了使電流沿著上述第一磁阻效應(yīng)元件與第二磁阻效應(yīng)元件的膜面方向獨(dú)立地流過而配置于上述層疊結(jié)構(gòu)的兩側(cè)的二對(duì)電極；以及配置在上述層疊結(jié)構(gòu)的外側(cè)的一對(duì)磁屏蔽，上述第一磁阻效應(yīng)元件與上述第二磁阻效應(yīng)元件相對(duì)同一方向磁場(chǎng)具有逆相的電阻變化，從而進(jìn)行差動(dòng)動(dòng)作，

上述第一自由層與上述第二自由層的內(nèi)側(cè)的距離和作為磁記錄介質(zhì)的物理長(zhǎng)度的記錄位長(zhǎng)之比為0.6以上1.6以下。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁記錄再現(xiàn)頭，其特征在于，上述第一自由層與上述第二自由層的內(nèi)側(cè)的距離和上述記錄位長(zhǎng)之比為0.8以上1.4以下。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁記錄再現(xiàn)頭，其特征在于，上述第一磁阻效應(yīng)元件為從上述基板依次層疊了第一固定層、第一中間層、第一自由層的層疊膜，

上述第二磁阻效應(yīng)元件為從上述基板依次層疊了第二自由層、第二中間層、第二固定層的層疊膜。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁記錄再現(xiàn)頭，其特征在于，上述第一磁阻效應(yīng)元件為從上述基板依次層疊了第一自由層、第一中間層、第一固定層的層疊膜，

上述第二磁阻效應(yīng)元件為從上述基板依次層疊了第二固定層、第二中間層、第二自由層的層疊膜。