[發(fā)明專利]溝渠式金氧半導體元件的制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910005308.4
• 申請日: 2009-02-05
• 公開（公告）號: CN101800193A
• 公開（公告）日: 2010-08-11
• 發(fā)明（設計）人: 葉俊瑩
• 申請（專利權）人: 尼克森微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/31;H01L21/265
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

1.一種溝渠式金氧半導體元件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半導體底材；

制作多個柵極溝渠于所述半導體底材內；

沿著所述半導體底材的表面起伏，沉積一保護層，利用非等向性蝕刻制程 去除位于這些柵極溝渠底面的部分所述保護層，以形成多個側壁保護層于所述 柵極溝渠的側壁；

以這些側壁保護層為掩膜，植入氧離子至所述柵極溝渠的底部；

去除該側壁保護層；

在去除該側壁保護層之后，同時生成一柵極氧化層與一底部氧化層，所述 柵極氧化層位于所述柵極溝渠的側壁，所述底部氧化層位于所述柵極溝渠的底 面，所述底部氧化層是由所述氧離子經熱氧化制程后形成的氧化物與所述柵極 溝渠底面形成的氧化物構成；

制作多個多晶硅柵極于這些柵極溝渠內。

2.根據(jù)權利要求1所述的溝渠式金氧半導體元件的制作方法，其特征在 于，其中，制作這些柵極溝渠于所述半導體底材內的步驟包括：

制作一圖案層于所述半導體底材上，定義出這些柵極溝渠；

透過所述圖案層蝕刻所述半導體底材，以形成這些柵極溝渠。

3.根據(jù)權利要求2所述的溝渠式金氧半導體元件的制作方法，其特征在 于，其中，在制作所述側壁保護層之前，更包括移除所述圖案層。

4.根據(jù)權利要求1所述的溝渠式金氧半導體元件的制作方法，其特征在 于，其中，生成所述底部氧化層的步驟是利用這些側壁保護層為掩膜，選擇性 氧化裸露于外的所述半導體底材，以生成該底部氧化層。

5.根據(jù)權利要求1所述的溝渠式金氧半導體元件的制作方法，其特征在 于，其中，所述保護層是一氧化硅層或一氮化硅層。

6.一種溝渠式金氧半導體元件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半導體底材；

制作多個柵極溝渠于所述半導體底材內，同時制作一圖案層于所述半導體 底材上，其中，在制作所述犧牲氧化層之前，更包括移除所述圖案層；

制作一犧牲氧化層于所述半導體底材的裸露表面；

透過所述犧牲氧化層，植入氧離子至所述柵極溝渠的底部；

去除所述犧牲氧化層；

去除所述犧牲氧化層后，生成一底部氧化層于所述柵極溝渠的底面，所述 底部氧化層是由所述氧離子經熱氧化制程后形成的氧化物與所述柵極溝渠底 面形成的氧化物構成；

生成一柵極氧化層于所述柵極溝渠的側壁；

制作多個多晶硅柵極于所述柵極溝渠內。

7.根據(jù)權利要求6所述的溝渠式金氧半導體元件的制作方法，其特征在 于，其中，制作這些柵極溝渠于所述半導體底材內的步驟包括：

制作一圖案層于所述半導體底材上，定義出這些柵極溝渠；

透過所述圖案層蝕刻所述半導體底材，以形成這些柵極溝渠。

8.根據(jù)權利要求6所述的溝渠式金氧半導體元件的制作方法，其特征在 于，其中，所述底部氧化層與所述柵極氧化層是同時生成。

9.根據(jù)權利要求6所述的溝渠式金氧半導體元件的制作方法，其特征在 于，其中，所述離子植入步驟的植入方向大致垂直于所述柵極溝渠的底部。