[發(fā)明專利]半導體復合裝置及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910005061.6 | 申請日： | 2006-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN101477983A | 公開（公告）日： | 2009-07-08 |
| 發(fā)明（設計）人： | 御手洗俊;池田浩一;多田正裕;秋葉朗;盛田伸也 | 申請（專利權）人： | 索尼株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H01L21/98;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 馬高平 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 復合 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體復合裝置，其特征在于，具有形成在基板上的半導體元件；形成在所述基板上的微機電裝置；與所述半導體元件和所述微機電裝置連接的配線層，
所述微機電裝置經由空間層被保護膜包圍，所述半導體電路和所述微機電裝置被絕緣膜包覆。
2.一種半導體復合裝置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
在基板上形成半導體元件的工序；
在所述基板上形成包覆所述半導體元件的絕緣膜的工序；
在所述絕緣膜上形成微機電裝置的工序；
形成與所述半導體元件和所述微機電裝置連接的配線層的工序。
3.如權利要求2所述的半導體復合裝置的制造方法，其特征在于，包括：形成所述配線層的工序、形成配線層間的絕緣膜的工序、在所述配線層間的絕緣膜上形成配線的工序，還具有將形成于所述微機電裝置上的所述配線層間的絕緣膜除去的工序。
4.如權利要求2所述的半導體復合裝置的制造方法，其特征在于，形成所述微機電裝置由如下工序構成：在所述微機電裝置的成為空間的區(qū)域形成犧牲膜，形成所述微機電裝置的構成部件的工序；經由犧牲膜形成保護膜的工序；除去所述各犧牲膜的工序，
其中，將形成所述配線層的絕緣膜形成在所述保護膜上。
5.一種半導體復合裝置的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成半導體元件的工序；
在所述基板上形成微機電裝置的工序；
包覆所述半導體元件而在所述基板上形成絕緣膜的工序；
在所述絕緣膜上形成與所述半導體元件和所述微機電裝置連接的配線層的工序。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
