[發(fā)明專利]原子層沉積設備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910004666.3
• 申請日: 2009-03-02
• 公開（公告）號: CN101519771A
• 公開（公告）日: 2009-09-02
• 發(fā)明（設計）人: 飯野知久;服卷直美;加藤芳健
• 申請（專利權）人: 恩益禧電子股份有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;H01L21/00;H01L21/205
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 孫志湧;穆德駿

1.一種原子層沉積設備，包括：

襯底基座，在所述襯底基座上布置待處理襯底；

第一氣體饋送管，所述第一氣體饋送管布置在所述襯底基座一側，以在所述襯底基座上布置的所述待處理襯底的整個表面上方延伸，并能從一端到另一端提供源氣體；以及

第二氣體饋送管，所述第二氣體饋送管布置在所述襯底基座一側，以在所述襯底基座上布置的所述待處理襯底的整個表面上方延伸，并能從一端到另一端提供活性氣體，所述活性氣體可與在所述待處理襯底上方的所述源氣體的沉積材料的層相反應，

其中，所述第二氣體饋送管提供有多個吹氣口，用于吹出與所述待處理襯底相反應的所述活性氣體，以及

其中，在從所述第二氣體饋送管的所述一端朝向所述另一端的漸遠的方向上，以逐漸減小的開口間距離來分布所述多個吹氣口。

2.如權利要求1所述的原子層沉積設備，其中，

所述活性氣體是從由氮(N₂)、氨(NH₃)、一氧化氮(NO)、二氧化氮(NO₂)、一氧化二氮(N₂O)、氧(O₂)、臭氧(O₃)、其氣體混合物、或者其與氬(Ar)或氦(He)的氣體混合物所構成的組中選擇的。

3.如權利要求1所述的原子層沉積設備，其中，

所述活性氣體是等離子體激活氣體，所述等離子體激活氣體是通過從由氮(N₂)、氨(NH₃)、氧(O₂)、氫(H₂)、其氣體混合物、或者其與氬(Ar)或氦(He)的氣體混合物所構成的組中選擇的氣體的等離子體激發(fā)而獲得的。

4.如權利要求1所述的原子層沉積設備，

其中，所述第一氣體饋送管提供有用于在所述待處理襯底的上方吹送所述源氣體的多個吹氣口，并且其中，從所述第一氣體饋送管的所述一端到所述另一端以恒定的開口間距離來分布該多個吹氣口。

5.如權利要求1所述的原子層沉積設備，其中，所述第一氣體饋送管提供有用于在所述待處理襯底的上方吹送所述源氣體的多個吹氣口，并且其中，在從所述第一氣體饋送管的所述一端朝向所述另一端的漸遠的方向上，以逐漸減小的開口間距離來分布該多個吹氣口。

6.如權利要求1所述的原子層沉積設備，其中，所述源氣體是無機金屬化合物或有機金屬材料。

7.如權利要求1所述的原子層沉積設備，其中，在所述襯底上先提供所述源氣體以在所述襯底上沉積源材料，然后用所述活性氣體來激活所述源材料的所述沉積層。

8.如權利要求1所述的原子層沉積設備，其中，所述襯底基座被配置為在不旋轉所述襯底的情況下保持所述襯底。