[發明專利]利用了薄膜晶體管的液晶顯示裝置

無效

• 申請號: 200910004447.5
• 申請日: 2006-02-10
• 公開（公告）號: CN101499478A
• 公開（公告）日: 2009-08-05
• 發明（設計）人: 好本芳和
• 申請（專利權）人: 株式會社未來視野
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 許海蘭

本發明是2006年2月10日遞交的名稱為“利用了薄膜晶體管的 液晶顯示裝置及其制造方法”的第200610073943.2號專利申請的分案 申請。

技術領域

本發明涉及利用了具有由噴墨涂敷形成的柵電極和源漏電極的 薄膜晶體管的液晶顯示裝置。

背景技術

有源矩陣型液晶顯示裝置中使用的薄膜晶體管(TFT)的結構是， 在基板上依次層疊由鉻等的金屬膜構成的柵電極、由SiNx構成的柵 絕緣膜、由非晶硅構成的半導體層、由摻雜了磷等的雜質的歐姆接觸 層、由鉻等的金屬膜構成的源電極和漏電極、以及保護膜。

上述薄膜晶體管是通過在玻璃基板上形成多個薄膜，在該薄膜上 實施光刻工序而制造的。但是，在形成薄膜和構圖時，必須利用濺射 裝置、CVD裝置以及蝕刻裝置等高價且低生產率的復雜的真空裝置， 這導致使工序非常復雜，同時還增加制造成本的結果。

為此，下述專利文件1中記載了盡量在大氣壓環境中制造薄膜晶 體管的方法。在該專利文獻1中記載了，利用含有導電材料的液體材 料由噴墨法形成薄膜晶體管的柵電極膜，并且利用含有半導體材料的 液體材料由噴墨法形成薄膜晶體管的源區和漏區。

另外，在下述專利文獻2中記載了，作為削減光刻工序、簡化生 產工序的方法，在同一層上形成柵總線和源總線，且在形成象素電極 時，在象素電極這一層上橋接被交叉部切斷的源總線。

【專利文獻1】日本專利申請特開2003-318193號公報

【專利文獻2】日本專利申請特開平9-265113號公報

在制造上述專利文獻1中記載的薄膜晶體管時，利用噴墨法減少 真空裝置的數量，削減生產工序，但其生產工序的數量依然很多，不 能低廉且高生產率地制造薄膜晶體管。

而且，在上述專利文獻2記載的方法中，因為象素電極中利用氧 化銦錫(ITO)等高電阻率(電阻率＝100～1000μΩ·cm)的透明電極 材料，所以在連接源總線的橋接部中產生大電阻。

通常，總線中利用電阻率＜3μΩ·cm左右的金屬，但即使將橋接 部的長度設計為總線長度的5％～1％左右，總線的電阻值也會達到 1.3倍～3倍。況且在實際中將橋接部的長度設計為小于等于5％是不 可能的。而且，在電阻率低的總線金屬和電阻率高的ITO之間產生接 觸電阻，橋接部中的接觸電阻變得更大了。

在涉足將成為今后LCD-TV的主流的100英寸級的大型、高精 細顯示屏中，即使增加1％布線電阻的方法也不能使用。

因此，本發明的目的在于，在利用薄膜晶體管的液晶顯示裝置及 其制造方法中，在簡化生產工序的同時，不增加源布線和柵布線的布 線電阻，而是減小布線電阻。

發明內容

在第1透光型感光性樹脂的開口部中，通過采用含有金屬微粒的 墨(即，印劑)的噴墨法，同時形成薄膜晶體管的源布線及柵布線和 象素接觸層及除了交叉部連接布線之外的輔助電容布線。

在第2透光型感光性樹脂的開口部中，在采用噴墨法的同時，分 別利用各自的墨形成薄膜晶體管的源電極及漏電極和象素電極及交 叉部連接布線。

特別是在交叉部連接布線中，利用含有與源布線或柵布線種類相 同的金屬微粒的墨來連接源布線或者柵布線。

因為使用噴墨布線工藝，所以不需要高價的真空裝置(濺射裝置、 金屬蝕刻裝置)，能夠削減制造費用。而且，因為大幅削減制造工序 的數量，所以能夠進一步大幅削減制造費用。另外，由于步驟的大幅 縮減，也可以進行無需庫存的立即響應式生產。

而且，利用透光型感光性樹脂進行構圖，使得能夠用1個光刻掩 模同時噴墨涂敷多種布線圖案，構圖后的透光型感光性樹脂在作為噴 墨布線用的同時，也可以作為蝕刻掩模使用。

特別是對于在第2透光型感光性樹脂的開口部中形成的交叉部 連接布線，因為利用含有與源布線或柵布線種類相同的金屬微粒的 墨，所以用數量少的掩模也不會使布線電阻增加。

而且，到目前為止，還未發現不增加布線電阻，而是減小布線電 阻、且減少掩模個數的薄膜晶體管(TFT)陣列及其制造方法。

附圖說明

圖1是本發明的液晶顯示裝置的示意圖。

圖2是本發明的薄膜晶體管的截面圖。

圖3是圖2所示薄膜晶體管的柵源布線工序圖。

圖4是接著圖3的薄膜晶體管的形成工序圖。