[發(fā)明專利]半導(dǎo)體集成電路以及開關(guān)布置和布線方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910003680.1 | 申請日: | 2009-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN101488499A | 公開(公告)日: | 2009-07-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 本村哲夫 | 申請(專利權(quán))人: | 索尼株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L27/118;H01L23/522;H01L23/528;H01L21/82;H03K19/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 集成電路 以及 開關(guān) 布置 布線 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體集成電路,包括:
電路塊,具有第一電源線、內(nèi)部電壓線以及連接在所述第一電源線和所述內(nèi)部電壓線之間的電路單元,對該第一電源線施加電源電壓和參考電壓之一;以及
多個(gè)開關(guān)單元,每個(gè)包括電連接到所述內(nèi)部電壓線的兩條電壓單元線、電連接到第二電源線的兩條電源單元線、電連接到開關(guān)控制線的控制單元線、以及電連接在所述內(nèi)部電壓線和所述第二電源線之間的晶體管,向所述第二電源線施加所述電源電壓和所述參考電壓中的另一個(gè),
其中所述晶體管的柵極連接到所述控制單元線,所述晶體管的漏極連接到所述兩條電壓單元線中之一,所述晶體管的源極連接到所述兩條電源單元線中之一;
其中所述開關(guān)單元布置在所述電路塊的外圍的所有四個(gè)邊上,
在所述多個(gè)開關(guān)單元的每個(gè)中,所述控制單元線經(jīng)過單元中心,并設(shè)置在一個(gè)方向上,
所述兩條電壓單元線布置為平行于所述控制單元線,并在距離所述控制單元線相等的位置處以所述控制單元線插在所述兩條電壓單元線之間而彼此平行,并且
所述兩條電源單元線布置為平行于所述控制單元線,并在距離所述控制單元線相等的位置處以所述控制單元線插在所述兩條電源單元線之間而彼此平行。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路,其中所述晶體管包括
多個(gè)單位晶體管,
其中所述多個(gè)單位晶體管彼此平行地連接在所述電壓單元線和所述電源單元線之間,所述多個(gè)單位晶體管的各個(gè)控制節(jié)點(diǎn)通過設(shè)置在X方向上的所述控制單元線彼此連接,并且所述多個(gè)單位晶體管形成關(guān)于經(jīng)過所述控制單元線的圖形中心的所述X方向及正交于所述X方向的Y方向都軸對稱的圖形。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體集成電路,
其中關(guān)于所述控制單元線對稱布置的第一晶體管和第二晶體管設(shè)置為所述多個(gè)單位晶體管,
所述第一晶體管和所述第二晶體管的各自的柵極電極在分割半導(dǎo)體基板上的所述第一晶體管的有源區(qū)以及所述半導(dǎo)體基板上的所述第二晶體管的有源區(qū)的分割區(qū)上延伸,
所述控制單元線形成為包括第一布線層,所述第一布線層包括連接到在所述分割區(qū)上的所述第一晶體管和所述第二晶體管的各自的柵極電極的布線,
用于將所述第一晶體管的源極和漏極之一與所述兩條電源單元線之一彼此連接的布線以及用于將所述第二晶體管的源極和漏極之一與所述兩條電源單元線中的另外一個(gè)彼此連接的布線通過所述第一布線層形成,并且
所述兩條電源單元線以及電連接到所述源極和所述漏極中另外一個(gè)的所述兩條電壓單元線通過比所述第一布線層高一層的第二布線層以及高于所述第二布線層的布線層中之一形成。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路,
其中布置在所述電路塊的外圍的所有四個(gè)邊的所述多個(gè)開關(guān)單元,以使所述晶體管的柵極長度方向彼此相同的取向而布置。
5.一種半導(dǎo)體集成電路,包括晶體管,且所述半導(dǎo)體集成電路包括:
第一布線,連接到上層中的開關(guān)控制線;
兩條第二布線,布置為平行于所述第一布線并在距離所述第一布線相等的位置處以所述第一布線插在所述兩條第二布線之間而彼此平行;
兩條第三布線,布置為平行于所述第一布線并在距離所述第一布線相等的位置處以所述第一布線插在所述兩條第三布線之間而彼此平行;以及
多個(gè)單位晶體管,包括形成在與所述第一布線的布線方向正交的方向的一側(cè)和另一側(cè)的相等數(shù)目的單位晶體管,在所述一側(cè)的所述單位晶體管在所述第二布線和所述第三布線之間彼此平行連接,在所述另一側(cè)的所述單位晶體管在所述第二布線和所述第三布線之間彼此平行連接,并且所述多個(gè)單位晶體管的各個(gè)控制節(jié)點(diǎn)通過所述第一布線彼此連接,其中每個(gè)單位晶體管的柵極連接到所述第一布線,并且源極和漏極分別連接到相應(yīng)的所述第二布線和所述第三布線;
其中所有的所述第一布線、所述第二布線、所述第三布線以及所述多個(gè)單位晶體管都形成關(guān)于在所述布線方向的第一軸和經(jīng)過所述第一布線的圖形中心并正交于所述第一軸的第二軸都軸對稱的圖形,且所述第一軸經(jīng)過所述第一布線的所述圖形中心。
6.一種布置并布線設(shè)置在電路塊之外的多個(gè)開關(guān)的方法,在所述電路塊中,布置有內(nèi)部電壓線以及施加有電源電壓和參考電壓之一的第一電源線,并且電路單元連接在所述第一電源線和所述內(nèi)部電壓線之間,所述方法包括步驟:
形成開關(guān)單元:設(shè)置晶體管;布置兩條電壓單元線、兩條電源單元線和控制單元線中的每一條,其中所述兩條電壓單元線中每條電連接到所述內(nèi)部電壓線,所述兩條電源單元線中每條電連接到第二電源線,對所述第二電源線施加所述電源電壓和所述參考電壓中的另一個(gè),所述控制單元線電連接到關(guān)于經(jīng)過單元中心的X軸和Y軸都軸對稱的開關(guān)控制線;并將所述兩條電壓單元線、所述兩條電源單元線和所述控制單元線中的每一條連接到所述晶體管;
形成開關(guān)塊:以矩陣形式布置形成的所述開關(guān)單元并將預(yù)定的所述開關(guān)單元連接到多條所述開關(guān)控制線的每一條;
形成反轉(zhuǎn)的開關(guān)塊:在平行于所述X軸和所述Y軸之一的線上將在所述開關(guān)塊上產(chǎn)生的數(shù)據(jù)鏡像反轉(zhuǎn),或者在所述單元中心將所述開關(guān)塊上產(chǎn)生的數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)180度;
在所述電路塊的外圍設(shè)置預(yù)定數(shù)目的形成的所述開關(guān)塊并設(shè)置預(yù)定數(shù)目的形成的所述反轉(zhuǎn)開關(guān)塊;以及
在已經(jīng)設(shè)置的所述開關(guān)塊和所述反轉(zhuǎn)開關(guān)塊之間連接所述多個(gè)開關(guān)控制線和所述第二電源線,并將所述電壓單元線連接到所述電路塊的所述內(nèi)部電壓線。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺
- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計(jì)算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 圖片顯示方法以及裝置以及移動終端
- ENB以及UEUL發(fā)送以及接收的方法
- X射線探測方法以及裝置以及系統(tǒng)
- 圖書信息錄入方法以及系統(tǒng)以及書架
- 護(hù)耳器以及口罩以及眼鏡





