[發(fā)明專利]混頻電路及具備該混頻電路的半導(dǎo)體裝置、通信裝置和電子設(shè)備無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910003305.7 | 申請日： | 2009-01-16 |
| 公開（公告）號： | CN101505138A | 公開（公告）日： | 2009-08-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 久保田晉平 | 申請（專利權(quán)）人： | 夏普株式會社 |
| 主分類號： | H03D7/12 | 分類號： | H03D7/12 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人： | 侯穎媖 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 混頻 電路 具備 半導(dǎo)體 裝置 通信 電子設(shè)備 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種混頻電路以及具備該混頻電路的半導(dǎo)體裝置、通信裝置和電子設(shè)備。
背景技術(shù)
圖2表示現(xiàn)有的混頻電路。
輸入信號IN1輸入晶體管Q1的基極，反轉(zhuǎn)輸入信號(inverting?input?signal)IN2輸入晶體管Q2的基極。
本振信號LO1輸入晶體管Q3的基極以及晶體管Q6的基極，反轉(zhuǎn)本振信號LO2輸入晶體管Q4的基極以及晶體管Q5的基極。
晶體管Q1的發(fā)射極、晶體管Q2的發(fā)射極與共同的電流源I0的輸入端連接，電流源I0的輸出端電氣接地。
晶體管Q1的集電極與晶體管Q3的發(fā)射極以及晶體管Q4的發(fā)射極連接，晶體管Q2的集電極與晶體管Q5的發(fā)射極以及晶體管Q6的發(fā)射極連接。
負(fù)載電阻R1的一端連接電源，另一端與晶體管Q3的集電極和晶體管Q5的集電極連接。負(fù)載電阻R2的一端連接電源，另一端與晶體管Q4的集電極和晶體管Q6的集電極連接。
輸出信號OUT1是從晶體管Q3的集電極和晶體管Q5的集電極的連接點(diǎn)輸出。反轉(zhuǎn)輸出信號OUT2是從晶體管Q4的集電極和晶體管Q6的集電極的連接點(diǎn)輸出。
以下，為便于說明，對輸入信號VIN、本振信號VLO以及輸出信號VOUT作如下定義。
VIN＝IN1??IN2???(1)
VLO＝LO1??LO2???(2)
VOUT＝OUT1?OUT2??(3)
另外，設(shè)電流源I0的電流為I0，設(shè)負(fù)載電阻R1以及負(fù)載電阻R2的電阻值同為R。
晶體管Q1的集電極電流I1以及晶體管Q2的集電極電流I2能夠分別用下述式(4)、式(5)來表示。在此，VT＝kT/q：熱電壓；k：波爾茲曼常數(shù)；q：電子的單位電荷；T：絕對溫度。
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