[發(fā)明專利]構(gòu)建到半導(dǎo)體集成電路中的電器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910003276.4
• 申請(qǐng)日: 2009-02-01
• 公開（公告）號(hào): CN101492149A
• 公開（公告）日: 2009-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小島章弘;杉崎吉昭;下岡義明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): B81B7/02
• 分類號(hào): B81B7/02;H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所
• 代理人: 楊曉光;于 靜

1.一種電器件，包括：

基底，配置為包括功能元件；

絕緣的第一膜，配置為與基底一起形成容納功能元件的腔體并且包括多個(gè)通孔；

絕緣的第二膜，配置為覆蓋所述多個(gè)通孔，絕緣的第二膜形成在第一膜上，并且透氣性高于第一膜的透氣性；

絕緣的第三膜，配置為至少形成在第二膜上，絕緣的第三膜的透氣性低于第二膜的透氣性；以及

絕緣的第四膜，配置為形成在第三膜上，絕緣的第四膜的彈性高于第三膜的彈性。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，還包括：

絕緣的第五膜，配置為覆蓋第二膜的側(cè)表面，絕緣的第五膜的透氣性低于第二膜的透氣性，

其中第三膜形成在第二膜的上表面上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其中第五膜和第三膜包含相同的材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，還包括：

電極，配置為形成在第二膜外部。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，還包括：

布線，其一端連接到功能元件，另一端延伸到第二膜外部；

有機(jī)膜，其與第二膜分離，覆蓋布線的所述另一端，且包括對(duì)應(yīng)于布線的所述另一端的開口；以及

凸起，其形成在有機(jī)膜上，包圍所述開口，并且連接到布線的所述另一端。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中

第一膜是主要包含Si-O鍵的硅化合物；

第二膜是主要包含碳的以下樹脂中的任何一種：熱固型樹脂、可紫外線固化的樹脂和電子束固化型樹脂；?

第三膜是主要包含Si-N鍵的硅化合物；以及

第四膜是環(huán)氧樹脂和聚酰亞胺樹脂之一。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中第二膜封閉每個(gè)通孔。

8.一種半導(dǎo)體器件，包括：

基底，配置為包括功能元件；

絕緣的第一膜，配置為形成在基底上，絕緣的第一膜形成容納功能元件的腔體并且包括多個(gè)通孔；

絕緣的第二膜，配置為形成在通孔中，絕緣的第二膜覆蓋所述多個(gè)通孔中的每一個(gè)，并且透氣性高于第一膜的透氣性；

絕緣的第三膜，配置為形成在第一膜和第二膜上，絕緣的第三膜的透氣性低于第二膜的透氣性；以及

絕緣的第四膜，配置為形成在第三膜上，絕緣的第四膜的彈性高于第三膜的彈性。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，還包括：

絕緣的第五膜，配置為覆蓋第二膜的側(cè)表面，該絕緣的第五膜的透氣性低于第二膜的透氣性。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，還包括：

電極，配置為形成在第二膜外部，電極電連接到功能元件。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件，還包括：

布線，其一端連接到功能元件，另一端延伸到第二膜外部；

有機(jī)膜，其與第二膜分離，覆蓋布線的所述另一端，并且包括對(duì)應(yīng)于布線的所述另一端的開口；以及

凸起，其形成在有機(jī)膜上，包圍所述開口，并且連接到布線的所述另一端。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中

第一膜是主要包含Si-O鍵的硅化合物；

第二膜是主要包含碳的以下樹脂中的任何一種：熱固型樹脂、可紫外線固化的樹脂和電子束固化型樹脂；?

第三膜是主要包含Si-N鍵的硅化合物；以及

第四膜是環(huán)氧樹脂和聚酰亞胺樹脂之一。

13.一種電器件的制造方法，包括以下步驟：

在具有功能元件的基底上形成具有多個(gè)通孔的絕緣的第一膜，第一膜與基底一起形成容納功能元件的腔體；

在第一膜上形成覆蓋所述多個(gè)通孔的絕緣的第二膜，絕緣的第二膜的透氣性高于第一膜的透氣性；

在形成第二膜之后，將腔體中的水蒸氣釋放到第二膜的外部；

在釋放水蒸氣之后，在第二膜上形成絕緣的第三膜，絕緣的第三膜的透氣性低于第二膜的透氣性；以及

在第三膜上形成絕緣的第四膜，絕緣的第四膜的彈性高于第三膜的彈性。