[發(fā)明專利]絞線有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910002443.3 | 申請(qǐng)日: | 2009-01-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101499328A | 公開(公告)日: | 2009-08-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姜開利;劉亮;劉鍇;趙清宇;翟永超;范守善 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01B5/08 | 分類號(hào): | H01B5/08;H01B1/02;H01B1/04;C01B31/00;B82B1/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100084北京市海淀區(qū)清華園1*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 絞線 | ||
1.一種絞線,包括多個(gè)碳納米管,該多個(gè)碳納米管通過范德華力首尾相連,其 特征在于,該絞線進(jìn)一步包括至少一層導(dǎo)電材料,該至少一層導(dǎo)電材料包覆于 碳納米管表面,該至少一層導(dǎo)電材料為金屬或合金,包括與碳納米管表面直接 結(jié)合的潤(rùn)濕層、設(shè)置在潤(rùn)濕層外的導(dǎo)電層以及設(shè)置于所述導(dǎo)電層與潤(rùn)濕層之間 的過渡層,該潤(rùn)濕層設(shè)置于所述導(dǎo)電層與碳納米管表面之間,所述碳納米管繞 該絞線的軸向螺旋狀旋轉(zhuǎn)排列。
2.如權(quán)利要求1所述的絞線,其特征在于,所述多個(gè)碳納米管具有相等的長(zhǎng)度。
3.如權(quán)利要求1所述的絞線,其特征在于,所述導(dǎo)電材料包覆于每一碳納米管 表面。
4.如權(quán)利要求1所述的絞線,其特征在于,該絞線的直徑為4.5納米~100微米。
5.如權(quán)利要求1所述的絞線,其特征在于,所述碳納米管包括單壁碳納米管, 雙壁碳納米管或多壁碳納米管,所述單壁碳納米管的直徑為0.5納米~50納米, 雙壁碳納米管的直徑為1納米~50納米,多壁碳納米管的直徑為1.5納米~50納 米。
6.如權(quán)利要求1所述的絞線,其特征在于,所述絞線的電阻率為10×10-8歐姆· 米~500×10-8歐姆·米。
7.如權(quán)利要求1所述的絞線,其特征在于,所述每一碳納米管表面設(shè)置有一導(dǎo) 電層。
8.如權(quán)利要求7所述的絞線,其特征在于,所述導(dǎo)電層的材料為銅、銀、金或 其合金,所述導(dǎo)電層的厚度為1~20納米。
9.如權(quán)利要求1所述的絞線,其特征在于,所述潤(rùn)濕層的材料為鐵、鈷、鎳、 鈀、鈦或其合金,所述潤(rùn)濕層的厚度為1~10納米。
10.如權(quán)利要求1所述的絞線,其特征在于,所述過渡層的材料為銅、銀或其合 金,所述過渡層的厚度為1~10納米。
11.如權(quán)利要求7所述的絞線,其特征在于,該絞線進(jìn)一步包括一抗氧化層設(shè) 置于所述導(dǎo)電層外表面,所述抗氧化層的材料為金、鉑或其合金,所述抗氧化 層的厚度為1~10納米。
12.如權(quán)利要求7所述的絞線,其特征在于,該絞線進(jìn)一步包括一強(qiáng)化層設(shè)置 于所述導(dǎo)電層外表面,所述強(qiáng)化層的材料為聚乙烯醇、聚苯撐苯并二惡唑、聚 乙烯或聚氯乙烯,所述強(qiáng)化層的厚度為0.1~1微米。
13.一種多股絞線,包括多個(gè)如權(quán)利要求1所述的絞線相互平行排列或相互扭轉(zhuǎn) 排列。
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