[發(fā)明專利]二段式太陽能電池的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910001959.6
• 申請日: 2009-01-21
• 公開（公告）號: CN101783372A
• 公開（公告）日: 2010-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳月花;王政烈
• 申請（專利權(quán)）人: 和艦科技(蘇州)有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01G9/20;H01M14/00;H01L21/22
• 代理公司: 北京連和連知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11278
• 代理人: 鄭光

1.一種二段式太陽能電池制造方法，包括：

步驟1、制造基板；

步驟2、在基板上形成掩膜層，并在所述掩膜層表面制成開口，所述開口具有不同的寬度；

步驟3、進(jìn)行雜質(zhì)擴(kuò)散，使掩膜層下方開口寬度較大處的雜質(zhì)濃度高于位于開口寬度較小處的雜質(zhì)濃度；

步驟4、在表面形成反射防止膜并形成電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二段式太陽能電池制造方法，其特征在于，所述步驟1具體為：

步驟11、將基板以堿性溶液進(jìn)行清洗，并通過蝕刻祛除表面的切片損傷；

步驟12、在基板表面形成紋路。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二段式太陽能電池制造方法，其特征在于，所述步驟12中在基板表面形成紋路的方法為：通過濕蝕刻在基板表面形成凹凸的紋路；或是通過反應(yīng)離子蝕刻法形成隨機紋路。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二段式太陽能電池制造方法，其特征在于，所述步驟2具體為：

步驟21、通過氧化在所述基板表面形成氧化膜以作為掩膜層；

步驟22、對掩膜層處理以形成開口，在預(yù)設(shè)為電極的區(qū)域開口寬度較大，在其它區(qū)域開口寬度較小。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二段式太陽能電池制造方法，其特征在于，所述步驟3具體為：

步驟3、在步驟2的基礎(chǔ)上，涂布含有雜質(zhì)的漿料，進(jìn)行熱擴(kuò)散；或是進(jìn)行含雜質(zhì)的氣相擴(kuò)散，以實現(xiàn)雜質(zhì)擴(kuò)散，以使在基板上形成雜質(zhì)擴(kuò)散層；并使位于所述開口寬度較大處的雜質(zhì)濃度高于位于開口寬度較窄處的雜質(zhì)濃度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二段式太陽能電池制造方法，其特征在于，步驟3與步驟4之間還包括：

步驟3’、去除所述掩膜層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二段式太陽能電池制造方法，其特征在于，所述步驟4具體為：

步驟41、在表面通過沉積或等離子體CVD法或真空蒸渡法形成反射防止膜，所述反射防止膜為氮化硅膜或氧化膜或二氧化鈦膜或氧化鋅膜或氧化錫膜；

步驟42、使用網(wǎng)版印刷法或真空蒸鍍法或濺鍍法生成電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項所述的二段式太陽能電池制造方法，其特征在于，所述基板為P型基板，所述雜質(zhì)為N型雜質(zhì)；或是基板為N型基板；所述雜質(zhì)為P型雜質(zhì)。