[發(fā)明專(zhuān)利]具有上下側(cè)壁接觸的相變化存儲(chǔ)裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910001344.3
• 申請(qǐng)日: 2009-01-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101604729A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-12-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 龍翔瀾
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L45/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 周?chē)?guó)城

1.一種存儲(chǔ)裝置，其特征在于，包括：

一存儲(chǔ)元件；

一第一電極，包括一環(huán)繞該存儲(chǔ)元件的內(nèi)表面，該第一電極的該內(nèi)表面于一第一接觸面接觸該存儲(chǔ)元件；

一第二電極，是與該第一電極分離而設(shè)置，該第二電極包括一環(huán)繞該存儲(chǔ)元件的內(nèi)表面，且該第二電極的該內(nèi)表面于一第二接觸面接觸該存儲(chǔ)元件；以及

一介電元件，該介電元件位于該第一電極與該第二電極之間，包括一環(huán)繞該存儲(chǔ)元件的內(nèi)表面，且該介電元件的該內(nèi)表面于一第三接觸面接觸該存儲(chǔ)元件，其中該介電元件的該內(nèi)表面是與該第一電極以及該第二電極對(duì)準(zhǔn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該存儲(chǔ)元件包括一柱狀的存儲(chǔ)材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該存儲(chǔ)元件具有一內(nèi)表面且更包括一填充材料，該填充材料位于由該存儲(chǔ)元件的該內(nèi)表面界定的一內(nèi)部空間中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該第二電極包括一位線的一部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，更包括一第一導(dǎo)電元件與一第二導(dǎo)電元件，其中：

該存儲(chǔ)元件與該第一電極各自包括一與該第一導(dǎo)電元件接觸的下表面；以及

該存儲(chǔ)元件與該第二電極各自包括一與該第二導(dǎo)電元件接觸的上表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該第二導(dǎo)電元件包括一位線的一部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該第一導(dǎo)電元件是電性耦接至一存取裝置的一端點(diǎn)。

8.一種制造一存儲(chǔ)裝置的方法，其特征在于，該方法包括：

形成一包括一內(nèi)表面的第一電極；

形成一與該第一電極分離而設(shè)置的第二電極，該第二電極包括一內(nèi)表面；以及

形成一存儲(chǔ)元件，該第一電極的該內(nèi)表面環(huán)繞該存儲(chǔ)元件并于一第一接觸面接觸該存儲(chǔ)元件，該第二電極的該內(nèi)表面環(huán)繞該存儲(chǔ)元件并于一第二接觸面接觸該存儲(chǔ)元件。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，該存儲(chǔ)元件包括一柱狀的存儲(chǔ)材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，該存儲(chǔ)元件具有一內(nèi)表面且更包括一填充材料，該填充材料位于由該存儲(chǔ)元件的該內(nèi)表面界定的一內(nèi)部空間中。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，該第二電極包括一位線的一部分。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，更包括形成一位于該第一電極與該第二電極之間的介電元件，該介電元件包括一環(huán)繞該存儲(chǔ)元件的內(nèi)表面，且該介電元件的該內(nèi)表面于一第三接觸面接觸該存儲(chǔ)元件，其中該介電元件的該內(nèi)表面是與該第一電極以及該第二電極對(duì)準(zhǔn)。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，更包括形成一第一導(dǎo)電元件與一第二導(dǎo)電元件，其中：

該存儲(chǔ)元件與該第一電極各自包括一與該第一導(dǎo)電元件接觸的下表面；以及

該存儲(chǔ)元件與該第二電極各自包括一與該第二導(dǎo)電元件接觸的上表面。

14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，該第二導(dǎo)電元件包括一位線的一部分。

15.一種制造一存儲(chǔ)裝置的方法，其特征在于，該方法包括：

于一第一導(dǎo)電元件的一上表面形成一結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括一位于該第一導(dǎo)電元件上的第一電極元件、一位于該第一電極元件上的介電元件、一位于該介電元件上的第二電極；

形成一貫穿該結(jié)構(gòu)的介層孔；以及

于該介層孔內(nèi)形成一存儲(chǔ)元件。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，形成該結(jié)構(gòu)的步驟包括：

于該第一導(dǎo)電元件的該上表面形成一第一電極材料、于該第一電極材料上形成一介電元件材料、于該介電元件材料上形成一第二電極材料；以及

刻蝕以貫穿至該第一電極材料，進(jìn)而形成一疊層。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，形成該疊層的步驟包括：

于刻蝕以貫穿至該第一電極材料的步驟前，先于該第二電極材料上形成一犧牲材料。