[發明專利]功率放大器系統的多個段的初級和多匝的次級變壓器

有效

• 申請號: 200910001305.3
• 申請日: 2009-01-04
• 公開（公告）號: CN101488729A
• 公開（公告）日: 2009-07-22
• 發明（設計）人: 李彰浩;李玉九;韓正侯;安奎煥;金形旭;李洞護;梁起碩;金學善;喬伊·拉斯卡爾
• 申請（專利權）人: 佐治亞科技研究公司;三星電機株式會社
• 主分類號: H03F3/20
• 分類號: H03F3/20;H03F3/45;H01F27/28
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司
• 代理人: 郭鴻禧;羅延紅

1.一種功率放大器系統，包括：

功率放大器，產生第一差分輸出信號和第二差分輸出信號；

初級線圈，由多個初級段組成，其中，每個初級段的第一端連接到第一公共輸入端口，每個初級段的第二端連接到第二公共輸入端口，第一公共輸入端口用于接收第一差分輸出信號，第二公共輸入端口用于接收第二差分輸出信號；

單個的次級線圈，感應地結合到所述多個初級段。

2.如權利要求1所述的系統，其中，初級線圈中的每個初級段包括第一數量的匝，單個的次級線圈包括第二數量的匝，第二數量的匝多于第一數量的匝。

3.如權利要求1所述的系統，其中，初級線圈中的每個初級段包括中心分接頭端口，所述系統還包括：

至少一個調諧塊，連接到每個初級段的中心分接頭端口。

4.如權利要求3所述的系統，其中，所述至少一個調諧塊包括一個或一個以上的調諧電路。

5.如權利要求4所述的系統，其中，所述一個或一個以上的調諧電路包括一個或一個以上的電容組件和一個或一個以上的電感組件。

6.如權利要求4所述的系統，其中，所述至少一個調諧塊利用調諧電路來選擇性地增強或抑制一個或一個以上的頻率分量。

7.如權利要求4所述的系統，其中，初級線圈中的初級段與單個的次級線圈相關地布置，使得在次級線圈中按相位對由初級段感應的通量或電流求和。

8.如權利要求1所述的系統，其中，單個的次級線圈定位在具有相同的電流方向的初級段之間，利用平面結構、堆疊結構或多層結構來制造初級段和單個的次級線圈。

9.如權利要求8所述的系統，其中，平面結構包括金屬層，初級段在金屬層上被制造為基本平行的初級段，次級線圈在金屬層上制造，使得次級線圈定位在相鄰的初級段之間。

10.如權利要求8所述的系統，其中，堆疊結構包括第一金屬層和與第一金屬層相對的第二金屬層，初級段在第一金屬層上制造，單個的次級線圈在第二金屬層上制造。

11.如權利要求8所述的系統，其中，堆疊結構包括第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層，第三金屬層定位在第一金屬層和第二金屬層之間，第二金屬層定位在第三金屬層和第四金屬層之間，初級段中的第一段在第一金屬層上制造，初級段中的第二段在第二金屬層上制造，單個的次級線圈在第三金屬層和第四金屬層的結合上制造，由至少一個通孔連接第三金屬層和第四金屬層。

12.如權利要求8所述的系統，其中，多層結構包括第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層，第三金屬層定位在第一金屬層和第二金屬層之間，第二金屬層定位在第三金屬層和第四金屬層之間，初級段中的第一段在第一金屬層的第一部分和第二金屬層的第一部分上制造，由至少一個第一通孔連接第一金屬層的第一部分和第二金屬層的第一部分，初級段中的第二段在第一金屬層的第二部分和第二金屬層的第二部分上制造，由至少一個第二通孔連接第一金屬層的第二部分和第二金屬層的第二部分，單個的次級線圈在第三金屬層和第四金屬層上制造，由至少一個第三通孔連接第三金屬層和第四金屬層。

13.如權利要求1所述的系統，其中，初級線圈和單個的次級線圈形成變壓器，所述系統還包括輔助線圈，輔助線圈與變壓器的一個或多個側部相鄰，從而感測初級線圈中的初級段和單個的次級線圈之間的耦合的量。

14.一種提供功率放大器系統的方法，包括如下步驟：

提供產生第一差分輸出信號和第二差分輸出信號的功率放大器；

在第一公共輸入端口接收第一差分輸出信號，在第二公共輸入端口接收第二差分輸出信號，其中，第一公共輸入端口連接到形成初級線圈的多個初級段的第一端，第二公共輸入端口連接到所述多個初級段的第二端；

將所述多個初級段感應地結合到單個的次級線圈。

15.如權利要求14所述的方法，其中，初級線圈中的每個初級段包括中心分接頭端口，所述方法還包括如下步驟：

將至少一個調諧塊連接到每個初級段的中心分接頭端口。

16.如權利要求15所述的方法，其中，連接至少一個調諧塊的步驟包括連接包括一個或一個以上的調諧電路的至少一個調諧塊。