[發明專利]包括汽化器的半導體處理系統及其使用方法

有效

• 申請號: 200910001283.0
• 申請日: 2009-01-16
• 公開（公告）號: CN101488449A
• 公開（公告）日: 2009-07-22
• 發明（設計）人: 岡部庸之;加藤壽;平賀潤哉;菊地宏之
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/205;H01L21/203;C23C16/44
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍 淳

1.一種半導體處理系統，其包括半導體處理裝置和對所述半導體 處理裝置供給處理氣體的氣體供給裝置，其特征在于：

所述半導體處理裝置包括：

收納被處理基板的處理室；

在所述處理室內支撐所述被處理基板的支撐部件；

加熱所述處理室內的所述被處理基板的加熱器；和

對所述處理室內進行排氣的排氣系統，

所述氣體供給裝置包括：

形成用于汽化液體原料的汽化室的容器；

通過運載氣體將所述液體原料霧化并供給到所述汽化室內的噴 嘴；

對所述噴嘴供給所述液體原料的液體原料供給通路；

對所述噴嘴供給所述運載氣體的運載氣體供給通路；

為了將被霧化的所述液體原料汽化生成所述處理氣體，對所述汽 化室內加熱的加熱器，

用于將所述處理氣體從所述汽化室內供給到所述處理室的氣體供 給通路；

用于檢測所述汽化室內的壓力的壓力檢測部；

用于調整所述汽化室內的壓力的壓力調整機構；和

控制所述壓力調整機構的動作的控制部，其中，所述控制部按照 以下方式預先設定，即根據所述壓力檢測部的壓力檢測值控制所述壓 力調整機構的動作，使所述汽化室內的壓力收斂在規定的壓力范圍內； 所述規定的壓力范圍由上限值和下限值規定，所述上限值設定為比由 于所述壓力的上升而阻礙所述液體原料的汽化的第一界限值低，所述 下限值設定為比由于所述壓力的下降而所述液體原料的汽化變得不穩 定從而所述汽化室內的壓力開始脈動的第二界限值高。

2.如權利要求1所述的半導體處理系統，其特征在于：

所述下限值比由于所述壓力的下降在所述噴嘴的前端部內所述液 體原料的溶劑開始沸騰的壓力的界限值高。

3.如權利要求1所述的半導體處理系統，其特征在于；

所述下限值設定為所述上限值的40％～60％。

4.如權利要求1所述的半導體處理系統，其特征在于：

所述壓力調整機構具備配設在所述氣體供給通路上的用于調整所 述處理氣體的流量的流量調整部，所述控制部基于所述壓力檢測值控 制所述流量調整部的動作。

5.如權利要求1所述的半導體處理系統，其特征在于：

所述氣體供給裝置還具備與所述液體原料供給通路連接的對所述 液體原料中添加溶劑的溶劑供給通路，所述壓力調整機構具備配設于 所述溶劑供給通路上的用于調整所述溶劑的流量的流量調整部，所述 控制部基于所述壓力檢測值控制所述流量調整部的動作。

6.如權利要求1所述的半導體處理系統，其特征在于：

所述壓力調整機構具備配設在所述運載氣體供給通路上的用于調 整所述運載氣體的流量的流量調整部，所述控制部基于所述壓力檢測 值控制所述流量調整部的動作。

7.如權利要求1所述的半導體處理系統，其特征在于：

所述氣體供給裝置按照以下方式構成：作為所述液體原料使用將 固體材料溶解在溶劑中的材料。

8.如權利要求1所述的半導體處理系統，其特征在于：

所述半導體處理裝置按照在所述被處理基板上形成薄膜的方式構 成，所述氣體供給裝置按照以下方式構成：將提供所述薄膜的成分的 氣體作為所述處理氣體加以供給。

9.如權利要求1所述的半導體處理系統，其特征在于：

所述噴嘴具有由內管和外管構成的雙重管結構，從所述內管供給 所述液體原料，從所述外管供給所述運載氣體。