[發明專利]有源矩陣基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 200910001281.1
• 申請日: 2005-01-25
• 公開（公告）號: CN101521209A
• 公開（公告）日: 2009-09-02
• 發明（設計）人: 八木敏文;津幡俊英;武內正典;久田佑子
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/28;G02F1/1362
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍 淳

本申請是申請日為2005年1月25日、申請號為200510002828.1、發明名稱為有源矩陣基板和顯示裝置的專利申請的分案申請。

本申請是以2004年1月28日申請的日本國專利申請第2004-20488號「有源矩陣基板和顯示裝置」、和2004年12月2日申請的日本國專利申請第2004-349590號「有源矩陣基板和顯示裝置」為基礎而主張優先權的申請。該申請的內容，其全體作為參照已組合在本申請中。

技術領域

本發明涉及有源矩陣基板和顯示裝置。更詳細而言，就是涉及將用于驅動液晶層的薄膜晶體管和保持電容元件按各像素配置的有源矩陣基板和有源矩陣型液晶顯示裝置。

背景技術

有源矩陣基板在液晶顯示裝置、EL(場致發光)顯示裝置等有源矩陣型顯示裝置中已得到了廣泛的應用。在使用這樣的有源矩陣基板的現有的有源矩陣型液晶顯示裝置中，將薄膜晶體管(以下，也稱為「TFT」)等設置在基板上交叉地配置的多條掃描信號線與多條數據信號線的各交點，利用該TFT等的開關功能，圖像信號向各像素部傳輸。另外，也公開了對各像素部設置保持電容元件的內容(例如，參見特開平6-95157號公報)。這樣的保持電容元件防止TFT在截止期間中的液晶層的自放電或TFT的截止電流引起的圖像信號的劣化。另外，保持電容元件不僅用于保持TFT截止時間中的圖像信號，而且也在液晶驅動的各種調制信號的施加路徑中使用，具有保持電容元件的液晶顯示裝置可以實現低功耗和高畫質。

下面，根據附圖說明現有的有源矩陣基板的結構的一例。

圖4是表示現有的有源矩陣型液晶顯示裝置使用的具有保持電容元件的有源矩陣基板的1個像素的結構的平面模式圖。

在圖4中，在有源矩陣基板上，多個像素電極51設置成矩陣狀，通過這些像素電極51的周圍相互交叉地設置了用于供給掃描信號的掃描信號線52和用于供給數據信號的數據信號線53。另外，在這些掃描信號線52與數據信號線53的交叉部分，設置了與像素電極51連接的作為開關元件的TFT?54。掃描信號線52與該TFT54的柵極連接，由輸入柵極的掃描信號驅動控制TFT?54。另外，數據信號線53與TFT?54的源極連接，數據信號輸入TFT?54的源極。此外，接續電極55、保持電容元件的一方的電極(保持電容上電極)55a通過接續電極55、像素電極51通過接觸孔56與漏極連接。保持電容(共同)配線57起該保持電容元件的另一方的電極(保持電容下電極)的功能。

圖5是表示將圖4所示的有源矩陣基板沿線段A-A′切斷的剖面的剖面模式圖。

在圖5中，在玻璃、塑料等透明絕緣性基板(絕緣基板)61上設置了與掃描信號線52連接的柵極62。掃描信號線52、柵極62由鈦、鉻、鋁、鉬等的金屬膜或這些金屬的合金、集層膜形成。構成保持電容元件的另一方的電極(保持電容下電極)的保持電容(共同)配線57由與掃描信號線52或柵極62相同的材料形成。覆蓋在其上面設置了柵極絕緣膜63。柵極絕緣膜63由氮化硅或氧化硅等的絕緣膜形成。在其上面，與柵極62重疊地設置由非晶硅或多晶硅等構成的高電阻半導體層64以及成為源極66a和漏極66b的由摻雜了磷等雜質的n⁺非晶硅等構成的低電阻半導體層。另外，與源極66a連接地形成數據信號線53。此外，與漏極66b連接地設置接續電極55，接續電極55延伸構成作為保持電容元件的一方的電極的保持電容上電極55a，通過接觸孔56與像素電極51連接。數據信號線53、接續電極55、保持電容上電極55a由相同材料形成，可以使用鈦、鉻、鋁、鉬等的金屬膜或這些金屬的合金、集層膜。像素電極51由例如ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)、氧化鋅、氧化錫等具有透明性的導電膜形成。接觸孔56貫通覆蓋TFT?54、掃描信號線52、數據信號線53和接續電極55的上部而形成的層間絕緣膜68而形成。作為層間絕緣膜68的材料，有例如丙烯酸樹脂或氮化硅、氧化硅等。圖4、圖5所示結構的有源矩陣基板已公開(例如，參見特開平9-152625號公報)。