[發明專利]固體攝像器件有效
| 申請號: | 200910001116.6 | 申請日: | 2009-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN101494229A | 公開(公告)日: | 2009-07-29 |
| 發明(設計)人: | 平野智之 | 申請(專利權)人: | 索尼株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/14 | 分類號: | H01L27/14;H01L21/31 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 陳桂香;武玉琴 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 攝像 器件 | ||
1.一種固體攝像器件,其包括:
硅層,所述硅層具有形成于其中的光電二極管和形成在所述光電二極管的表面上的正電荷累積區域;以及
光波導,其形成在所述光電二極管上方,用于將入射光引導至所述光電二極管中,
其中,在所述光波導中形成有絕緣層,并且
所述絕緣層具有5以上的介電常數和負固定電荷。
2.如權利要求1所述的固體攝像器件,其中,所述絕緣層被形成在所述光波導的整個內部部分中。
3.如權利要求1所述的固體攝像器件,其中,所述絕緣層由含有鉿、鋯、鋁、鉭、鈦、釔、鑭系元素中的至少一種的絕緣材料制成。
4.一種固體攝像器件,其包括:
硅層,所述硅層具有形成于其中的光電二極管和形成在所述光電二極管的表面上的正電荷累積區域;以及
光波導,其形成在所述光電二極管上方,用于將入射光引導至所述光電二極管中,
其中,在所述光電二極管上形成有絕緣層,所述絕緣層位于所述光波導下方,并且
所述絕緣層具有5以上的介電常數和負固定電荷。
5.如權利要求4所述的固體攝像器件,其中,所述絕緣層由含有鉿、鋯、鋁、鉭、鈦、釔、鑭系元素中的至少一種的絕緣材料制成。
6.如權利要求4所述的固體攝像器件,其中,在所述光波導中形成有絕緣層,并且該絕緣層具有5以上的介電常數和負固定電荷。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于索尼株式會社,未經索尼株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910001116.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





