[發明專利]傳感器、固體攝像器件、攝像裝置及其制造方法無效
| 申請號： | 200910001002.1 | 申請日： | 2009-01-16 |
| 公開（公告）號： | CN101488509A | 公開（公告）日： | 2009-07-22 |
| 發明（設計）人： | 竹內清 | 申請（專利權）人： | 索尼株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/144 | 分類號： | H01L27/144;H01L27/146;H01L21/82;H04N5/30;H04N5/225 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 陳桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 傳感器 固體 攝像 器件 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種傳感器，其包括：
半導體層；
在所述半導體層中形成的光電二極管；
在所述半導體層上方形成的摻雜有雜質的多晶硅層；以及
向所述多晶硅層施加柵極電壓的柵極電極，
其中，在所述半導體層的第一表面側上設有布線層，并且光入射到所述半導體層的第二表面側上，所述摻雜有雜質的多晶硅層和所述柵極電極形成在所述第二表面側上。
2.如權利要求1所述的傳感器，其中，所述光電二極管包括堆疊的第一導電型雜質區域、第二導電型雜質區域、第一導電型雜質區域和第二導電型雜質區域。
3.如權利要求1所述的傳感器，其中，所述光電二極管具有P+NPN結結構。
4.如權利要求1所述的傳感器，其中，所述光電二極管使用第一導電型雜質基板而被形成。
5.一種固體攝像器件，其包括：
像素，各個所述像素具有在半導體層中形成的光電二極管、在所述光電二極管上方形成的摻雜有雜質的多晶硅層和向所述多晶硅層施加柵極電壓的柵極電極；以及
像素區域，其包括二維布置的所述像素，
其中，在所述半導體層的第一表面側上設有布線層，并且光入射到所述半導體層的第二表面側上，所述摻雜有雜質的多晶硅層和所述柵極電極形成在所述第二表面側上。
6.一種攝像裝置，其包括光學單元、固體攝像器件和信號處理單元，?所述固體攝像器件包括：
像素，各個所述像素具有在半導體層中形成的光電二極管、在所述光電二極管上方形成的摻雜有雜質的多晶硅層和向所述多晶硅層施加柵極電壓的柵極電極；以及
像素區域，其包括二維布置的所述像素，
其中，在所述半導體層的第一表面側上設有布線層，并且光入射到所述半導體層的第二表面側上，所述摻雜有雜質的多晶硅層和所述柵極電極形成在所述第二表面側上。
7.一種攝像裝置制造方法，其包括以下步驟：
在半導體層中形成光電二極管；
在所述光電二極管上方形成摻雜有雜質的多晶硅層；以及
形成向所述多晶硅層施加柵極電壓的柵極電極，
其中，將布線層設置在所述半導體層的第一表面側上，并且光入射到所述半導體層的第二表面側上，所述摻雜有雜質的多晶硅層和所述柵極電極形成在所述第二表面側上。?
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
