[發(fā)明專利]一種用于GaAs晶片的粗拋光溶液和粗拋光方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910000511.2
• 申請日: 2009-01-14
• 公開（公告）號: CN101775257A
• 公開（公告）日: 2010-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 譚開燮;張捷;楊三貴
• 申請（專利權(quán)）人: AXT公司
• 主分類號: C09G1/18
• 分類號: C09G1/18;H01L21/304
• 代理公司: 北京北翔知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11285
• 代理人: 鐘守期;唐鐵軍

1.一種用于GaAs晶片的機械化學(xué)粗拋光溶液，除水以外，包括二氯代異氰尿酸鹽、磺酸鹽、焦磷酸鹽、碳酸氫鹽和硅溶膠。

2.權(quán)利要求1的機械化學(xué)粗拋光溶液，除水以外，按重量百分比計，包括二氯代異氰尿酸鹽8.0-22.0％、磺酸鹽0.01-0.30％、焦磷酸鹽4.5-16.0％、碳酸氫鹽3.0-13.0％和硅溶膠55.0-72.0％，各組分含量總和為100％。

3.權(quán)利要求2的機械化學(xué)粗拋光溶液，除水之外，按重量百分比計，包括二氯代異氰尿酸鹽10.0-20.0％、磺酸鹽0.05-0.30％、焦磷酸鹽8.0-15.0％、碳酸氫鹽4.5-11.0％和硅溶膠56.0-69.0％。

4.權(quán)利要求3的機械化學(xué)粗拋光溶液，除水之外，按重量百分比計，包括二氯代異氰尿酸鹽12.0-18.0％、磺酸鹽0.08-0.50％、焦磷酸鹽9.0-13.0％、碳酸氫鹽8.0-10.0％和硅溶膠58.0-68.0％。

5.權(quán)利要求1的機械化學(xué)粗拋光溶液，按溶液總量計，機械化學(xué)粗拋光溶液中二氯代異氰尿酸鹽、磺酸鹽、焦磷酸鹽、碳酸氫鹽和硅溶膠重量百分比總和不高于3.0％。

6.權(quán)利要求1～5之一的機械化學(xué)粗拋光溶液，其中二氯代異氰尿酸鹽、磺酸鹽、焦磷酸鹽和碳酸氫鹽為它們各自的水溶性堿金屬鹽或銨鹽之一。

7.權(quán)利要求6的機械化學(xué)粗拋光溶液，其中二氯代異氰尿酸鹽、磺酸鹽、焦磷酸鹽和碳酸氫鹽為它們各自的鈉鹽或銨鹽。

8.權(quán)利要求7的機械化學(xué)粗拋光溶液，其中二氯代異氰尿酸鹽、磺酸鹽、焦磷酸鹽和碳酸氫鹽為它們各自的鈉鹽。

9.一種用于GaAs晶片的機械化學(xué)粗拋光方法，包括在機械化學(xué)粗拋光設(shè)備中，在權(quán)利要求1～8之一的用于GaAs晶片的機械化學(xué)粗拋光溶液存在下，對GaAs晶片實施機械化學(xué)粗拋光。