[發明專利]硅通孔鍵合結構

無效

• 申請號: 200910000421.3
• 申請日: 2009-01-08
• 公開（公告）號: CN101656197A
• 公開（公告）日: 2010-02-24
• 發明（設計）人: 王宗鼎;陳承先;卿愷明;李柏毅;李建勛
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/60;H01L21/768
• 代理公司: 北京市德恒律師事務所
• 代理人: 馬鐵良;梁 永

1、一種連接兩個半導體晶片的方法，所述方法包括：

提供第一襯底，包括：

第一側面以及與所述第一側面相對的第二側面；

穿過所述第一襯底并從所述第一襯底的第二側面突出的硅通孔；

位于所述第一襯底的第二側面之上的過渡層；

提供具有第三側面的第二襯底，所述第二襯底包括：

位于所述第二襯底的第三側面上的接觸點；

位于所述第二襯底的第三側面之上的保護層；

使所述過渡層接觸所述保護層，這樣所述硅通孔以及所述接觸點彼此對準；以及

將所述第一襯底鍵合到所述第二襯底上。

2、根據權利要求1所述方法，其中所述過渡層和所述保護層包括不同的材料。

3、根據權利要求1所述方法，還包括：

在使所述過渡層接觸所述保護層之前，部分固化所述過渡層和所述保護層；以及

在將所述第一襯底鍵合到第二襯底上之后，完全固化所述過渡層和所述保護層。

4、根據權利要求1所述方法，還包括在使所述過渡層接觸所述保護層之后，回流所述接觸點。

5、一種接合兩個半導體襯底的方法，所述方法包括：

提供第一襯底，其具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；

形成穿過所述第一襯底在所述第一表面之間延伸到所述第二表面的開口；

在所述開口內形成導體，并從所述第一襯底的第二表面突出；

在所述第一襯底的第二表面之上形成過渡層，所述導體從所述過渡層突出；

提供具有第三表面的第二襯底；

在所述第三表面上形成接觸凸點；

在所述第三表面之上形成保護層，這樣所述接觸凸點基本上被暴露；

對準所述接觸凸點和所述導體，這樣所述過渡層與所述保護層相接觸，并且所述接觸凸點與所述導體相接觸；以及

將所述保護層鍵合到所述過渡層。

6、根據權利要求5所述方法，還包括在形成導體之前，在所述開口內形成襯里。

7、根據權利要求5所述方法，還包括在對準所述接觸凸點和所述導體之后，回流所述接觸凸點。

8、根據權利要求5所述方法，還包括在將所述保護層鍵合到所述過渡層之前，部分固化所述過渡層。

9、根據權利要求3或8所述方法，其中所述過渡層被部分固化到全部固化的大約70％到90％。

10、根據權利要求5所述方法，其中所述過渡層包括苯并環丁烯或聚酰亞胺。

11、一種使兩個半導體襯底附著的方法，所述方法包括：

提供第一襯底和第二襯底，所述第一襯底包括從第一側面延伸并從與第一側面相對的第二側面突出的硅通孔，所述第二襯底包括第三側面上的接觸點；

在所述第二襯底的第三側面之上形成保護層；

在所述第一襯底的第二側面之上形成過渡層，所述硅通孔從所述過渡層突出；

使所述過渡層接觸所述保護層，所述硅通孔接觸所述接觸點；

將所述過渡層鍵合到所述保護層；以及

在所述硅通孔之上回流所述接觸點。

12、根據權利要求11所述方法，還包括在使所述過渡層接觸所述保護層之前，部分固化所述保護層。

13、根據權利要求12所述方法，其中部分固化所述保護層繼續進行直到所述保護層至少70％被固化。

14、根據權利要求1、5或11任一項所述方法，其中所述鍵合至少部分通過熱壓鍵合完成。

15、根據權利要求14所述方法，其中所述熱壓鍵合至少部分在介于大約150℃到大約400℃之間的溫度進行。