[其他]允許閾值電壓連續調整的單多晶EEPROM

有效

• 申請號: 200890100296.2
• 申請日: 2008-11-05
• 公開（公告）號: CN202042485U
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發明（設計）人: J·C·米特羅斯;D·A·海斯利
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種存儲器器件，其特征在于，包括：

被隔離在半導體本體內的控制柵；

被互相隔離在所述半導體本體內的第一和第二隧道區域；

讀晶體管；以及

覆蓋所述控制柵、所述讀晶體管以及所述第一和第二隧道區域的一部分的浮柵。

2.根據權利要求1所述的存儲器器件，其特征在于，所述存儲器器件包括單多晶EEPROM和改進的一次性可編程EPROM中的一個。

3.根據權利要求1所述的存儲器器件，其特征在于，所述讀晶體管被配置為確定所述存儲器器件中的所述閾值電壓。

4.根據權利要求1所述的存儲器器件，其特征在于，所述存儲器器件還包括連接到所述控制柵的控制柵電極、連接到所述第一隧道區域的第一隧道電極、連接到所述第二隧道區域的第二隧道電極、連接到所述讀晶體管的源極區域的源電極、連接到所述讀晶體管的漏極區域的漏電極以及連接到所述半導體本體的背柵區域的背柵電極。

5.根據權利要求1所述的存儲器器件，其特征在于，

所述控制柵被隔離在第二導電類型的所述半導體本體中的第一導電類型的阱內，

所述第一和第二隧道區域被互相隔離在所述半導體本體中的各自的第一導電類型的阱內，以及

所述讀晶體管被隔離在所述半導體本體中的第一導電類型的阱內。

6.根據權利要求5所述的存儲器器件，其特征在于，所述第一導電類型和第二導電類型中的一個包括n型半導體材料和p型半導體材料中的一個。?

7.根據權利要求1所述的存儲器器件，其特征在于，所述讀晶體管被配置為確定所述存儲器器件中的所述閾值電壓。

8.根據權利要求1所述的存儲器器件，其特征在于，覆蓋所述控制柵、所述讀晶體管以及所述第一和第二隧道區域的所述部分的浮柵通過由熱氧化工藝形成的柵氧化層與它們隔離。

9.一種單多晶EEPROM存儲器器件，其特征在于，包括：

控制柵，其被隔離在第二導電類型的半導體本體中的第一導電類型的阱內；

第一和第二隧道區域，其被互相隔離在所述半導體本體中的所述第一導電類型的各自的阱內；

讀晶體管，其被隔離在所述半導體本體中的所述第一導電類型的阱內；以及

浮柵，其覆蓋所述控制柵、所述讀晶體管以及所述第一和第二隧道區域的一部分，所述浮柵通過柵氧化層與它們隔離。

10.根據權利要求9所述的存儲器器件，其特征在于，所述第一導電類型和第二導電類型中的一個包括n型半導體材料和p型半導體材料中的一個。

11.一種單多晶EEPROM存儲器器件，其特征在于，包括：

控制柵，其被隔離在第二導電類型的半導體本體中的第一導電類型的第一阱內；

第一隧道區域，其被隔離在所述半導體本體中的所述第一導電類型的第二阱內；

第二隧道區域，其被隔離在所述第二導電類型的第三阱內；

讀晶體管，其被隔離在所述半導體本體中的第一導電類型的第四阱內；以及

浮柵，其覆蓋所述控制柵、所述讀晶體管以及所述第一和第二隧道?區域的一部分，所述浮柵通過柵氧化層與它們隔離。

12.根據權利要求11所述的存儲器器件，其特征在于，所述第三阱位于所述第一阱內。?