[發明專利]一種制備具有金屬襯底的InGaAlN發光二極管的方法

有效

• 申請號: 200880130784.2
• 申請日: 2008-08-19
• 公開（公告）號: CN102067339A
• 公開（公告）日: 2011-05-18
• 發明（設計）人: 熊傳兵;江風益;王立;方文卿;王古平;章少華
• 申請（專利權）人: 晶能光電(江西)有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于制備發光二極管的方法，該方法包括：

在生長襯底上刻蝕凹槽，從而在所述生長襯底上形成臺面；

在所述每個臺面上制備銦鎵鋁氮(InGaAlN)多層結構，其中該結構包括p-型層、多量子阱層、以及n-型層；

在所述InGaAlN多層結構上沉積一層或多層金屬襯底層；

剝離所述生長襯底；以及

在所述InGaAlN多層結構的兩側形成電極，從而形成垂直電極結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于制備所述InGaAlN多層結構包括應用金屬有機化學汽相沉積。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于沉積所述一層或多層金屬襯底層還包括：

制備歐姆接觸層；

對具有歐姆接觸層的所述InGaAlN多層結構進行退火；以及

形成腐蝕保護層。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于所述歐姆接觸層包括基于鉑-金、鉑-銠、鎳-金氧化物或銦-錫氧化物的合金。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于所述歐姆接觸層包括基于鎳-金氧化物、銦-錫氧化物或鎳-金氧化物與銦-錫氧化物組合的透明材料。

6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于所述腐蝕保護層包括金、鉑、鈀、銠或不銹鋼。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述金屬襯底層由適合選擇性刻蝕的不同材料組成。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于所述金屬襯底層包括夾于兩個銅層之間的銀層。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于剝離所述生長襯底包括化學刻蝕。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于該方法進一步包括粗化n-型層的表面。

11.一種發光二極管，該發光二極管包括：

InGaAlN多層結構，該結構包括p-型層，多量子阱層以及n-型層；

鄰接所述n-型層沉積的第一電極；

鄰接所述p-型層沉積的第二電極；

鄰接所述p-型層沉積的一層或多層金屬襯底層；以及

鈍化層；

其中第一和第二電極形成垂直電極結構。

12.根據權利要求11的發光二極管，其特征在于該發光二極管進一步包括：

鄰接p-型層的歐姆接觸層；以及

腐蝕保護層，其在剝離生長襯底的濕法刻蝕過程中保護金屬襯底層。

13.根據權利要求12的發光二極管，其特征在于所述歐姆接觸層包括基于鉑-金、鉑-銠、鎳-金氧化物或銦-錫氧化物的合金。

14.根據權利要求12的發光二極管，其特征在于所述歐姆接觸層包括基于鎳-金氧化物、銦-錫氧化物或鎳-金氧化物和銦-錫氧化物的組合的透明材料。

15.根據權利要求12的發光二極管，其特征在于所述腐蝕保護層包括金、鉑、鈀、銠或不銹鋼。

16.根據權利要求11的發光二極管，其特征在于所述金屬襯底層由適合選擇性刻蝕的不同材料組成。

17.根據權利要求16的發光二極管，其特征在于所述金屬襯底層包括夾于兩個銅層之間的銀層。

18.根據權利要求17的發光二極管，其特征在于該發光二極管還包括粗化n-型層的表面。