[發(fā)明專利]具有半導(dǎo)體開關(guān)元件的分接開關(guān)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200880130033.0 | 申請日： | 2008-08-27 |
| 公開（公告）號： | CN102077305A | 公開（公告）日： | 2011-05-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | O·布呂克爾;D·多那爾;H-H·萊克曼-米斯克 | 申請（專利權(quán)）人： | 賴茵豪森機(jī)械制造公司 |
| 主分類號： | H01F29/04 | 分類號： | H01F29/04 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人： | 趙科 |
| 地址： | 德國雷*** | 國省代碼： | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 半導(dǎo)體 開關(guān) 元件 | ||
1.一種具有半導(dǎo)體開關(guān)元件的分接開關(guān)，用于無中斷地在可調(diào)式變壓器的繞組分接頭之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換，
所述分接開關(guān)包括兩個(gè)能與各自的繞組分接頭連接的負(fù)載支路，
所述半導(dǎo)體開關(guān)元件是IGBT(Ian，Iap；Ibn，Ibp)，
這兩個(gè)負(fù)載支路中的每一個(gè)都經(jīng)由所設(shè)置的由兩個(gè)相反連接的IGBT(Ian，Iap；Ibn，Ibp)構(gòu)成的串聯(lián)電路與共同的負(fù)載引線電氣連接，并且
與每個(gè)IGBT(Ian，Iap；Ibn，Ibp)并聯(lián)設(shè)置一個(gè)二極管(dan，dap，dbn，dbp)，每個(gè)負(fù)載支路中的兩個(gè)二極管(dan，dap或dbn，dbp)相互相反地連接，
其特征在于，
在每個(gè)負(fù)載支路中分別有一個(gè)機(jī)械開關(guān)(DSa，DSb)與由IGBT(Ian，Iap；Ibn，Ibp)和并聯(lián)的二極管(dan，dap，dbn，dbp)構(gòu)成的串聯(lián)電路串聯(lián)連接，
與由IGBT(Ian，Iap；Ibn，Ibp)和二極管(dan，dap，dbn，dbp)構(gòu)成的每個(gè)并聯(lián)電路分別并聯(lián)連接一個(gè)壓敏電阻(Van，Vap；Vbn，Vbp)，并且
所述壓敏電阻(Van，Vap；Vbn，Vbp或Va，Vb)被參數(shù)設(shè)置為使得其壓敏電壓小于各自并聯(lián)的IGBT的最大阻斷電壓，并且大于級電壓的最大瞬時(shí)值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分接開關(guān)，其特征在于，每個(gè)IGBT(Ian，Iap；Ibn，Ibp)與與其并聯(lián)的壓敏電阻(Van，Vap；Vbn，Vbp)及二極管(dan，dap，dbn，dbp)一起在結(jié)構(gòu)上結(jié)合為堆疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分接開關(guān)，其特征在于，設(shè)置于一個(gè)負(fù)載支路中的兩個(gè)壓敏電阻(Van，Vap或Vbn，Vbp)被組合為單個(gè)壓敏電阻(Va，Vb)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的分接開關(guān)，其特征在于，與這兩個(gè)負(fù)載支路中每一個(gè)分別并聯(lián)連接一個(gè)機(jī)械的長期工作主觸頭(MCa，MCb)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于賴茵豪森機(jī)械制造公司，未經(jīng)賴茵豪森機(jī)械制造公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200880130033.0/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
