[發(fā)明專利]用于輸送電能的電廠有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200880129692.2 | 申請日: | 2008-06-09 |
| 公開(公告)號: | CN102057563A | 公開(公告)日: | 2011-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 貢納爾·阿斯普隆德;比約恩·雅各布森 | 申請(專利權(quán))人: | ABB技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H02M7/49 | 分類號: | H02M7/49;H01B9/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜誠;陳煒 |
| 地址: | 瑞士*** | 國省代碼: | 瑞士;CH |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 輸送 電能 電廠 | ||
1.一種通過高壓直流(HVDC)輸送電能的電廠,包括通過雙極直流電壓網(wǎng)絡(luò)(103)互連(104,105)的兩個變流器站(101,102),每個并且所述變流器站(101,102)各自連接到交流電壓網(wǎng)絡(luò),以從交流電壓網(wǎng)絡(luò)中的一個向另一個饋送電能,每個變流器站具有電壓源變流器(106,107),所述電壓源變流器具有連接到變流器直流電壓側(cè)的異性極(5,6)的至少一個相腳(2-4)并且包括串聯(lián)連接的開關(guān)單元(7,7’),每個所述開關(guān)單元一方面具有串聯(lián)連接的至少兩個半導(dǎo)體組件,每個半導(dǎo)體組件具有關(guān)斷型半導(dǎo)體器件(16,17)和與關(guān)斷型半導(dǎo)體器件(16,17)并聯(lián)連接的續(xù)流二極管,并且每個所述開關(guān)單元另一方面具有至少一個儲能電容器(20),變流器的相輸出(10-12)被配置成連接到沿開關(guān)單元的所述串聯(lián)連接在兩個開關(guān)單元之間形成的變流器的交流電壓側(cè),每個開關(guān)單元被配置成通過每個開關(guān)單元的所述半導(dǎo)體器件的控制獲得兩個開關(guān)狀態(tài),即第一開關(guān)狀態(tài)和第二開關(guān)狀態(tài),其中,將所述至少一個儲能電容器上的電壓以及零電壓分別施加到開關(guān)單元的端子上,以在所述相輸出上獲得確定的交流電壓,其特征在于,所述電壓源變流器被配置成采用相對于地在第一極(5)的大小比在第二極(6)的大小更高的直流電壓,由此所述直流電壓相對于地不對稱,以在各變流器的所述相輸出上產(chǎn)生所述交流電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的電廠,其特征在于,所述電壓源變流器(106,107)被配置成采用在所述第一極(5)的大小比在所述第二極(6)的電壓大小高至少三倍的直流電壓。
3.如權(quán)利要求1所述的電廠,其特征在于,所述電壓源變流器(106,107)被配置成采用在所述第一極(5)的大小比在所述第二極(6)的電壓大小高至少五倍的直流電壓。
4.如權(quán)利要求1所述的電廠,其特征在于,所述電壓源變流器(106,107)被配置成采用在所述第一極(5)的大小比在所述第二極(6)的電壓大小高5至20倍,優(yōu)選地,高5至10倍的直流電壓。
5.如權(quán)利要求1所述的電廠,其特征在于,所述電壓源變流器(106,107)被配置成采用在所述第二極(6)的大小小于在所述第一極(5)的電壓大小的1%的電壓,即所述第二極處于接近地的電勢。
6.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電廠,其特征在于,所述雙極直流電壓網(wǎng)絡(luò)(103)包括被配置成形成互連所述兩個變流器站(101,102)的所述第一極(5)的一個高壓極導(dǎo)體(109,109’),以及被配置成形成互連所述變流器站的所述第二極(6)的一個低壓極導(dǎo)體(110,110’)。
7.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電廠,其特征在于,所述直流電壓網(wǎng)絡(luò)包括線路(108),所述線路(108)形成互連所述兩個變流器站(101,102)的所述兩個極(5,6),以及,所述線路具有形成所述第一極的內(nèi)中心高壓導(dǎo)體(109)以及形成所述第二極的外低壓導(dǎo)體(110),所述外低壓導(dǎo)體(110)圍繞所述高壓導(dǎo)體(109)并且通過絕緣層(111)與所述高壓導(dǎo)體(109)分隔開。
8.如權(quán)利要求7所述的電廠,其特征在于,所述低壓導(dǎo)體(110)的橫截面積是中心高壓導(dǎo)體(109)的橫截面積的1至2倍,優(yōu)選地,1至1.5倍。
9.如權(quán)利要求7或8所述的電廠,其特征在于,所述外低壓導(dǎo)體(110)被絕緣層(111)環(huán)繞。
10.如權(quán)利要求5所述的電廠,其特征在于,所述雙極直流電壓網(wǎng)絡(luò)包括被配置成形成所述第一極(5)的高壓極導(dǎo)體(109),以及,所述直流電壓網(wǎng)絡(luò)被配置成為形成所述第二極(6)而采用地作為電流返回路徑。
11.如權(quán)利要求5所述的電廠,其特征在于,所述雙極直流電壓網(wǎng)絡(luò)包括被配置成形成所述第一極的高壓極導(dǎo)體(109),以及,所述直流電壓網(wǎng)絡(luò)被配置成為形成所述第二極而采用圍繞所述高壓極導(dǎo)體所屬的線纜的海水作為電流返回路徑。
12.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電廠,其特征在于,所述電壓源變流器(106,107)的相腳的開關(guān)單元(7,7’)的數(shù)量≥4、≥12、≥30或≥50。
13.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電廠,其特征在于,所述開關(guān)單元組件的所述半導(dǎo)體器件(16,17)是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)、IGCT(集成門極換向晶閘管)或GTO(門極可關(guān)斷晶閘管)。
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