[發明專利]氮化物半導體發光器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200880128477.0
• 申請日: 2008-10-14
• 公開（公告）號: CN101999178A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 崔然祚
• 申請（專利權）人: 艾普拉斯泰克株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京博浩百睿知識產權代理有限責任公司 11134
• 代理人: 宋子良;李占平

1.一種氮化物半導體發光器件，包括基板、定位在基板上的包括第一導電層、活性層和第二導電層的氮化物半導體層，在第一導電層上形成的第一電極、在第二導電層上形成的第二電極，其中，在與所述第一導電層接觸的所述基板的表面上形成圖案，所述圖案具有按預定間隔形成的一個以上的突出部以及從所述突出部的上表面下陷預定深度而獲得的下陷部。

2.根據權利要求1所述的氮化物半導體發光器件，其中，所述基板為藍寶石基板。

3.根據權利要求1所述的氮化物半導體發光器件，其中，所述突出部和所述下陷部具有各自預定的曲率。

4.根據權利要求1所述的氮化物半導體發光器件，其中，所述突出部的曲率小于或大于所述下陷部的曲率。

5.根據權利要求1所述的氮化物半導體發光器件，其中，所述下陷部的下陷深度小于或大于所述突出部的高度。

6.根據權利要求1所述的氮化物半導體發光器件，其中，所述第一導電層和所述第二導電層包含選自二元氮化物、三元氮化物和四元氮化物中的任一種，所述二元氮化物包括GaN、AlN和InN。

7.一種制造氮化物半導體發光器件的方法，所述氮化物半導體發光器件包括基板、定位在所述基板上的包括第一導電層、活性層和第二導電層的氮化物半導體層、在所述第一導電層上形成的第一電極、以及在所述第二導電層上形成的第二電極，所述方法包括：

利用遮罩在所述基板的表面上形成圖案；

在預定溫度下烘烤具有所述圖案的所述基板，由此在所述圖案中形成突出部和下陷部；

通過蝕刻從具有所述突出部和所述下陷部的所述圖案中去除所述遮罩；

在具有所述突出部和所述下陷部的所述基板上，形成所述第一導電層、所述活性層、和所述第二導電層；以及形成所述第一電極層和所述第二電極層。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述遮罩是選自光刻膠、SiO2、SixNx、和金屬薄膜中的任一種。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，通過干式蝕刻或濕式蝕刻而去除所述遮罩。

10.一種氮化物半導體發光器件，包括基板和生長在所述基板上的氮化物半導體層，其中，在與第一導電層接觸的所述基板的表面上形成圖案，所述圖案包括按預定間隔形成的一個以上的突出部和從所述突出部的上表面下陷一定深度而獲得的下陷部。