[發明專利]反射式二次透鏡系統和半導體裝配件及其生產方法有效
| 申請號: | 200880127095.6 | 申請日: | 2008-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN101952977A | 公開(公告)日: | 2011-01-19 |
| 發明(設計)人: | 約阿希姆·堯斯;安得烈斯·貝特;邁克爾·帕西格;格哈德·帕哈茨;皮特·尼茨;沃爾夫岡·格拉夫 | 申請(專利權)人: | 弗蘭霍菲爾運輸應用研究公司 |
| 主分類號: | H01L31/052 | 分類號: | H01L31/052;H01L33/00;H01L25/04 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反射 二次 透鏡 系統 半導體 裝配 及其 生產 方法 | ||
1.一種反射式和/或折射式二次透鏡系統(100),用于將陽光匯聚在半導體元件上,所述二次透鏡系統包括反射器(3),所述反射器(3)具有朝向陽光的入口孔(4)和朝向半導體組件(2)的出口孔(5),所述反射器(3)具有圍繞反射器(3)的凸起(6)。
2.根據權利要求1所述的二次透鏡系統,其特征在于,沿著反射器(3)的縱向,在入口孔(4)處設置所述凸起(6)。
3.根據前述權利要求中的一項權利要求所述的二次透鏡系統,其特征在于,所述凸起(6)與反射器(3)以整體方式或以形狀匹配的方式連接。
4.根據前述權利要求中的一項權利要求所述的二次透鏡系統,其特征在于,所述凸起(6)設置在與入口孔(4)平行的平面上。
5.根據前述權利要求中的一項權利要求所述的二次透鏡系統,其特征在于,所述凸起(6)具有被構造為矩形、正方形、圓形、橢圓形或不規則形狀的輪廓。
6.根據前述權利要求中的一項權利要求所述的二次透鏡系統,其特征在于,所述反射器(3)至少包括部分從由鋁或含鋁的合金組成的組中選擇的材料。
7.根據前述權利要求中的一項權利要求所述的二次透鏡系統,其特征在于,所述反射器(3)的壁厚度為50μm至1mm,優選地為100至500μm。
8.根據前述權利要求中的一項權利要求所述的二次透鏡系統,其特征在于,所述反射器(3)的外部和/或朝向出口孔(5)的凸起(6)的表面具有至少一個涂層,所述涂層在2000至10000nm的波長范圍內具有0.5和0.95之間的全發射度εn。
9.根據前述權利要求所述的二次透鏡系統,其特征在于,所述至少一個涂層包含氧化鋁,優選地包含氧化鋁和/或包含具有在0.5和0.95之間的全發射度εn的清漆,優選地包含所述清漆。
10.根據前述權利要求中的一項權利要求所述的二次透鏡系統,其特征在于,所述反射器(3)的內部具有至少一個高反射性涂層,所述高反射性涂層在400到800nm的波長范圍內的反射度ρ>70%,和/或在900到2500nm的波長范圍內的反射度ρ>80%。
11.根據前述權利要求所述的二次透鏡系統,其特征在于,所述高反射性涂層包含從包括以下金屬組成的組中選擇的金屬或者由所述金屬組成:鋁、優選地是高純度形式(比重>99%)的鋁;銀,具有不同折射率n20D的材料層序,和/或其合金或組合物。
12.根據前述權利要求中的一項權利要求所述的二次透鏡系統,其特征在于,所述反射器(3)的內部具有至少一個保護性涂層,所述保護性涂層包含氧化鋁、碳化硅和/或氧化硅,或所述保護性涂層由氧化鋁、碳化硅和/或氧化硅組成。
13.根據權利要求10至權利要求12中的一項權利要求所述的二次透鏡系統,其特征在于,將至少一個高反射性涂層施加于反射器(3)的內部,以及將至少一個保護性涂層施加于所述至少一個高反射性涂層上。
14.根據前述權利要求中的一項權利要求所述的二次透鏡系統,其特征在于,所述腔體至少部分地由材料(7)填充,所述材料(7)在300到2500nm的波長范圍內是光學透明的。
15.根據前述兩項權利要求中的一項權利要求所述的二次透鏡系統,其特征在于,所述光學透明材料(7)具有高于空氣的折射率n20D。
16.根據權利要求14至權利要求15中的一項權利要求所述的二次透鏡系統,其特征在于,液態凝聚狀態的光學透明材料(7)在氧化鋁上具有大于90°的潤濕角。
17.根據權利要求14至權利要求16中的一項權利要求所述的二次透鏡系統,其特征在于,所述光學透明材料(7)選自由環氧樹脂、有機硅樹脂、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、玻璃、石英玻璃和/或熱塑性塑料材料組成的組。
18.根據前述權利要求中的一項權利要求所述的二次透鏡系統,其特征在于,使用窗口(8)關閉所述入口孔(4)和/或出口孔(5),所述窗口(8)在300到2500nm的波長范圍內是光學透明的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





