[發(fā)明專利]用于解釋深探測電磁數(shù)據(jù)的基于模型的工作流程無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200880126329.5 | 申請日: | 2008-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN101952744A | 公開(公告)日: | 2011-01-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邁克爾·威爾特;赫夫·德納克拉爾;張平;戴維·阿倫鮑;托爾·約翰遜 | 申請(專利權(quán))人: | 普拉德研究及開發(fā)股份有限公司 |
| 主分類號: | G01V3/38 | 分類號: | G01V3/38;G01V99/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 湯雄軍 |
| 地址: | 英屬維爾京*** | 國省代碼: | 維爾京群島;VG |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 解釋 探測 電磁 數(shù)據(jù) 基于 模型 工作 流程 | ||
1.一種用于確定電磁勘探是否能夠在區(qū)域中的不同地下條件之間進(jìn)行區(qū)分的方法,包括以下步驟:
a)形成所述區(qū)域的三維電磁特性模型;以及
b)使用所述三維電磁特性模型模擬場電磁數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的電磁響應(yīng),以確定電磁數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的電磁響應(yīng)的期望差是否在所述電磁數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的檢測能力范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,使用流動模擬器結(jié)果、地質(zhì)數(shù)據(jù)、地震數(shù)據(jù)、和測井?dāng)?shù)據(jù)中的一種或多種形成所述三維電磁特性模型。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,在并入到所述三維電磁特性模型之前,將流動模擬器結(jié)果、地質(zhì)數(shù)據(jù)、地震數(shù)據(jù)、和測井?dāng)?shù)據(jù)中的所述一種或多種按比例放大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,模擬場電磁數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的所述電磁響應(yīng)的步驟包括:
指定至少一個電磁源位置和至少一個電磁接收器位置,所述至少一個電磁源位置和所述至少一個電磁接收器位置與井間、地面到井眼、井眼到地面、或基于地面的電磁勘探體系結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中,所述至少一個電磁源位置和所述至少一個電磁接收器位置與井間電磁勘探體系結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián),并且使用流動模擬器結(jié)果、地質(zhì)數(shù)據(jù)、地震數(shù)據(jù)、和測井?dāng)?shù)據(jù)中的一種或多種形成所述三維電磁特性模型,所述流動模擬器結(jié)果、地質(zhì)數(shù)據(jù)、地震數(shù)據(jù)、和測井?dāng)?shù)據(jù)中的一種或多種與在包括述電磁源位置和所述電磁接收器位置的井的至少七倍井間半徑的范圍內(nèi)的區(qū)域相關(guān)聯(lián)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述模擬場電磁數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的電磁響應(yīng)的步驟包括:
i)從所述三維電磁特性模型截取二維截面;和
ii)生成與不同地下條件相對應(yīng)的修改的二維截面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,通過改變截取的二維截面以與不同的地下條件相對應(yīng)來生成所述修改的二維截面。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,通過修改所述三維電磁特性模型以與不同的地下條件相對應(yīng)并然后從修改的所述三維電磁特性模型截取所述修改的二維截面來生成所述修改的二維截面。
9.一種對與地下區(qū)域相關(guān)聯(lián)的電磁數(shù)據(jù)做反演的基于模型的方法,包括以下步驟:
a)形成所述區(qū)域的三維電磁特性模型;以及
b)在所述電磁數(shù)據(jù)反演過程期間限制能夠?qū)λ鋈S電磁特性模型作出的改變。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,還包括以下步驟:
從所述三維電磁特性模型截取二維截面。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中,在所述電磁數(shù)據(jù)反演過程期間僅允許截取的二維橫截面的一部分內(nèi)的電阻率值減小。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中,在所述反演過程期間固定截取的所述二維橫截面的一部分內(nèi)的電阻率值。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,還包括以下步驟:
使用被改變的所述二維截面更新所述三維電磁特性模型。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述放入方法,其中,在第一時段采集所述電磁數(shù)據(jù),并且進(jìn)一步包括以下步驟:
在第二時段采集另外的電磁數(shù)據(jù),并且使用所述另外的電磁數(shù)據(jù)進(jìn)一步更新所述三維電磁特性模型。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中,在所述第一時段與所述第二時段之間已經(jīng)將流體注入到所述地下區(qū)域中。
16.一種用于確定井眼在地下區(qū)域中的位置的方法,包括以下步驟:
a)形成所述地下區(qū)域的三維電磁特性模型;以及
b)當(dāng)對從所述地下區(qū)域采集的電磁數(shù)據(jù)做反演時,僅允許井眼位置變化。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中,所述電磁數(shù)據(jù)包括低頻電磁數(shù)據(jù)集,與典型層析成像電磁數(shù)據(jù)集相比,所述低頻電磁數(shù)據(jù)集不易受地層電阻率的影響。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于普拉德研究及開發(fā)股份有限公司,未經(jīng)普拉德研究及開發(fā)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200880126329.5/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





