[發明專利]半導體構造、NAND單位單元、形成半導體構造的方法及形成NAND單位單元的方法

有效

• 申請號: 200880124715.0
• 申請日: 2008-11-25
• 公開（公告）號: CN101911297A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發明（設計）人: D·V.·尼馬爾·拉馬斯瓦米;古爾特杰·S·桑胡
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 沈錦華

技術領域

半導體構造、NAND單位單元、形成半導體構造的方法及形成NAND單位單元的方法。

背景技術

存儲器裝置為電子系統提供數據存儲。一種類型的存儲器是稱作快閃存儲器的非易失性存儲器。快閃存儲器是一種類型的EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲器)，可按塊將其擦除并重編程。許多現代個人計算機具有存儲于快閃存儲器芯片上的BIOS。此BIOS有時稱為快閃BIOS。快閃存儲器也常用于無線電子裝置中，這是因為其使制造商能夠在新的通信協議變為標準化時支持所述新的通信協議，并提供遠程地使裝置升級以實現增強的特征的能力。

典型的快閃存儲器包括存儲器陣列，所述存儲器陣列包含配置成行及列形式的大量存儲器單元。通常將所述單元分組成若干塊。可通過使電荷存儲材料充電來對一塊內的單元中的每一者進行電編程。可通過塊擦除操作從所述電荷存儲材料移除電荷。數據作為所述電荷存儲材料中的電荷存儲于單元中。

NAND是快閃存儲器的基本架構。NAND單元單位包括至少一個選擇裝置，所述至少一個選擇裝置串聯耦合到存儲器單元的串聯組合(其中所述串聯組合通常稱作NAND串)。

半導體制作的持續目標是增加集成度。因此，需要開發比常規NAND架構消耗更少半導體底材面的新NAND架構，并開發形成此種新NAND架構的方法。

附圖說明

圖1是根據一實施例的存儲器系統的簡化框圖。

圖2是根據一實施例的NAND存儲器陣列的示意圖。

圖3到5是半導體襯底處于用于形成存儲器陣列的實例性實施例過程的各個階段的概略性橫截面圖。

圖6到11是圖3到5的半導體襯底處于用于形成存儲器陣列的實例性實施例過程期間的圖5之后的各個階段的概略性三維視圖。圖6的三維視圖的邊緣圖解說明在圖5中標記為“6”的區的視圖。

圖12是圖3到11的半導體襯底處于用于形成存儲器陣列的實例性實施例過程的圖11之后的階段的沿著圖3到5的橫截面的視圖。

圖13是沿著圖12的線13到13的概略性橫截面圖。

圖14及15是類似于圖6到11的襯底的半導體襯底處于用于形成存儲器陣列的另一實例性實施例過程期間的各個階段的概略性三維視圖。

圖16是計算機實施例的概略性視圖。

圖17是顯示圖14計算機實施例的主板的特定特征的框圖。

圖18是電子系統實施例的高級框圖。

圖19是存儲器裝置實施例的簡化框圖。

具體實施方式

圖1是根據一實施例的存儲器系統500的簡化框圖。存儲器系統500包含集成電路快閃存儲器裝置502(例如，NAND存儲器裝置)，集成電路快閃存儲器裝置502包含：存儲器單元陣列504、地址解碼器506、行存取電路508、列存取電路510、控制電路512、輸入/輸出(I/O)電路514及地址緩沖器516。存儲器系統500包含作為電子系統的一部分電連接到存儲器裝置502以進行存儲器存取的外部微處理器520或存儲器控制器。存儲器裝置502經由控制鏈路522從處理器520接收控制信號。所述存儲器單元用于存儲經由數據(DQ)鏈路524存取的數據。地址信號經由地址鏈路526接收，并在地址解碼器506處解碼以存取存儲器陣列504。地址緩沖器電路516鎖存所述地址信號。響應于所述控制信號及所述地址信號而存取所述存儲器單元。

圖2是NAND存儲器陣列200的示意圖。其可以是圖1的存儲器陣列504的一部分。存儲器陣列200包含字線202₁到202_N及相交的局部位線204₁到204_M。字線202的數目及位線204的數目可各自為2的某一冪，例如，256個字線及4,096個位線。局部位線204可以多對一的關系耦合到全局位線(未顯示)。

存儲器陣列200包含NAND串206₁到206_M。每一NAND串包含可在本文中稱作NAND串裝置的電荷陷獲(或快閃)晶體管208₁到208_N。

所述電荷陷獲晶體管(即，NAND串裝置)位于字線202與局部位線204的相交處。電荷陷獲晶體管208表示用于存儲數據的非易失性存儲器單元。每一NAND串206的電荷陷獲晶體管208源極到漏極地串聯連接在源極選擇裝置210與漏極選擇裝置212之間。每一源極選擇裝置210位于局部位線204與源極選擇線214的相交處，而每一漏極選擇裝置212位于局部位線204與漏極選擇線215的相交處。