[發明專利]單晶制造裝置

有效

• 申請號: 200880124024.0
• 申請日: 2008-12-18
• 公開（公告）號: CN101910474A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發明（設計）人: 星亮二;高野清隆
• 申請（專利權）人: 信越半導體股份有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 郭曉東;馬少東

1.一種單晶的制造裝置，根據切克勞斯基法來培育單晶，該單晶的制造裝置至少包括：主腔室，其容納用以容置原料熔液的坩堝與用以加熱上述原料熔液的加熱器；提拉腔室，其連接設置在該主腔室的上部，成長的單晶被提拉而容置于其中；以及冷卻筒，其被冷卻介質強制冷卻，并以包圍上述提拉中的單晶的方式，從上述主腔室的至少頂部向原料熔液表面延伸；其特征在于，

至少具有被嵌合在上述冷卻筒的內側上的冷卻輔助筒，該冷卻輔助筒具有貫通軸方向的縫隙，且向上述原料熔液表面延伸。

2.如權利要求1所述的單晶制造裝置，其特征在于，上述冷卻輔助筒的材質是石墨材料、碳復合材料、不銹鋼、鉬、鎢中的任一種。

3.如權利要求1或2所述的單晶制造裝置，其特征在于，在上述冷卻筒的外側設有保護構件。

4.如權利要求3所述的單晶制造裝置，其特征在于，上述保護構件的材質是石墨材料、碳纖維材料、碳復合材料、不銹鋼、鉬、鎢中的任一種。

5.如權利要求1～4中任一項所述的單晶制造裝置，其特征在于，設有延伸至上述冷卻筒下方的整流筒。