[發明專利]掩模坯體、掩模坯體的產生方法以及掩模的產生方法

無效

• 申請號: 200880123166.5
• 申請日: 2008-12-22
• 公開（公告）號: CN101910941A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發明（設計）人: 小川巧;倉林章;平元豪
• 申請（專利權）人: 愛發科成膜株式會社
• 主分類號: G03F1/08
• 分類號: G03F1/08;G03F1/14;G03F7/095;G03F7/26
• 代理公司: 上海金盛協力知識產權代理有限公司 31242
• 代理人: 段迎春

1.一種掩模坯體，包括：

透明基片；

設置在所述透明基片上的蝕刻層；

設置在所述蝕刻層上并且利用第一化學增幅抗蝕劑形成的抑制層；以及

設置在所述抑制層上并且利用第二化學增幅抗蝕劑形成的掩模層；

其中，所述掩模層用于在接收曝光時用所述第二化學增幅抗蝕劑產生酸，并且改變所述掩模層相對顯影液體的溶解性；

所述抑制層用于在接收通過所述掩模層的曝光時用所述第一化學增幅抗蝕劑產生酸，并且獲得掩模層相對所述顯影液體的不溶性。

2.根據權利要求1所述的掩模坯體，其中所述抑制層具有1nm到200nm的膜厚度。

3.根據權利要求1所述的掩模坯體，其中所述第一化學增幅抗蝕劑包括：

溶劑，其使所述第一化學增幅抗蝕劑固化；

酸產生劑，其利用所述曝光來產生酸；以及

基礎樹脂與交聯劑的混合物，所述基礎樹脂具有相對所述顯影液體的溶解性；并且

所述抑制層通過去除所述溶劑而生成，并且通過由所述曝光產生的酸和所述交聯劑的反應而形成交聯的基礎樹脂。

4.根據權利要求1所述的掩模坯體，其中所述抑制層，在接收所述曝光之前，通過所述第二化學增幅抗蝕劑的加熱獲得不溶性。

5.根據權利要求1到4任意一項所述的掩模坯體，其中用于所述抑制層的所述第一化學增幅抗蝕劑是負性抗蝕劑。

6.一種制造掩模坯體的方法，包括以下步驟：

在透明基片上形成蝕刻層；

利用第一化學增幅抗蝕劑在所述蝕刻層上形成抑制層；以及

利用第二化學增幅抗蝕劑在所述抑制層上形成掩模層；

其中，形成所述掩模層的步驟包括將所述第二化學增幅抗蝕劑涂覆到所述抑制層并且從所述第二化學增幅抗蝕劑去除溶劑；

形成所述抑制層的步驟包括將所述第一化學增幅抗蝕劑涂覆到所述蝕刻層并且加熱所述第一化學增幅抗蝕劑以從所述第一化學增幅抗蝕劑去除溶劑；并且

當接收曝露到所述掩模層上的曝光時，由于所述第一化學增幅抗蝕劑，所述抑制層起到獲得所述掩模層相對顯影液體的不溶性的作用。

7.根據權利要求6所述的制造掩模坯體的方法，其中所述形成所述抑制層的步驟包括在從所述第一化學增幅抗蝕劑去除溶劑之后，通過進一步加熱所述第一化學增幅抗蝕劑，獲得所述不溶性。

8.一種制造掩模的方法，所述方法包括以下步驟：

利用根據權利要求6的制造掩模坯體的方法制造所述掩模坯體；

通過使用所述曝光照射所述掩模坯體的掩模層形成抗蝕劑掩模；以及

通過利用所述抗蝕劑掩模蝕刻所述掩模坯體的抑制層和掩模層形成轉印圖案。