[發明專利]控制基板及該控制基板的制造方法無效
| 申請號: | 200880118912.1 | 申請日: | 2008-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN101884111A | 公開(公告)日: | 2010-11-10 |
| 發明(設計)人: | 西岡幸也;松室智紀;笠原健司 | 申請(專利權)人: | 住友化學株式會社 |
| 主分類號: | H01L29/786 | 分類號: | H01L29/786;G02F1/1368;H01L51/50 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 朱丹 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 控制 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及將電導通與不導通進行切換的控制基板及該控制基板的制造方法。
背景技術
液晶顯示裝置及有機EL顯示裝置等顯示裝置,具備多個發光元件,通過使各發光元件選擇性地發光,顯示規定的圖像信息。作為使發光元件發光的驅動方式,可以舉出無源驅動及有源驅動等。在有源驅動的顯示裝置中,各發光元件與電源之間配置有例如場效應型晶體管(FET),通過將各FET的導通狀態與不導通狀態選擇性地切換,使各發光元件選擇性地發光,顯示規定的圖像信息。在有源驅動的顯示裝置中,使用在基板主體上設有多個FET的TFT(Thin?Film?Transistor,薄膜晶體管)基板等控制基板。
圖12是示意地表示現有技術的顯示裝置1的剖面圖。顯示裝置1包含TFT基板2和設置在該TFT基板2上的發光元件3。TFT基板2包含基板主體4和設置在該基板主體4上的FET(場效應型晶體管)5。FET5包含:在基板主體4的厚度方向的一個表面上形成的柵極6、覆蓋該柵極6而形成的柵極絕緣膜7、在柵極絕緣膜7的厚度方向的一個表面上形成的源極8及漏極9、和在源極8及漏極9之間形成的半導體層10。
現有技術中,通過濺射法、蒸鍍法及CVD法等在基板主體4上形成FET5來制作TFT基板2,再在該TFT基板2上形成發光元件3,由此制作顯示裝置1。
濺射法、蒸鍍法及CVD法等中,需要使用真空裝置在真空中形成FET5,因此,存在制造成本增高的問題。作為不使用真空裝置、以低成本形成FET5的方法,考慮通過例如涂布法形成FET5的方案。現有技術中,通過涂布包含金屬糊及金屬納米粒子等的布線形成用油墨,再進行燒成而在基板上形成具有導電性的布線(例如,參考日本特開2007-169604公報)。
發明內容
通過例如涂布法形成FET等元件時,與通過濺射法成膜的情況相比,難以形成可靠性高的元件。
本發明的目的在于,提供具備在基板主體上形成的可靠性高的開關元件的控制基板、及通過涂布法制造該控制基板的制造方法。
另外,在基板主體4上形成了柵極6及布線后的工序中,如果發生滯留或者發生圖案化的失敗等,則作為所謂的再加工,再次進行清洗處理及規定的處理。通過涂布法形成的膠粘性低的柵極6及布線等,在這樣的再加工中可能會剝離,成品率下降,并且難以形成可靠性高的FET5等元件。
本發明人對通過涂布法形成的元件進行了深入研究,結果想到元件的電極的膠粘性與元件的可靠性有關,并發現通過在基板主體表面設置基底層、并在基底層上設置元件的電極,即使通過涂布法形成也可以得到示出高可靠性的元件,從而完成了本發明。
本發明是一種控制基板,其中,包含:
基板主體、
在基板主體的厚度方向的一個表面上設置的基底層、和
在所述基底層的與所述基板主體相反一側的表面上設置的、將電導通與不導通進行切換的開關元件,
所述開關元件具有在所述基底層的厚度方向的一個表面上通過涂布法形成的電極,
所述基底層由如下所述的構件形成,所述構件與電極的膠粘性,比在基板主體的與所述基板主體相反一側的表面上通過涂布法形成電極時的電極與基板主體的膠粘性高。
附圖說明
圖1是示意地表示本發明的一個實施方式的顯示裝置21的剖面圖。
圖2是示意地表示顯示裝置21的平面圖。
圖3是顯示裝置21的等效電路圖。
圖4是示意地表示顯示裝置21的制造工序的剖面圖。
圖5是示意地表示顯示裝置21的制造工序的剖面圖。
圖6是示意地表示顯示裝置21的制造工序的剖面圖。
圖7是示意地表示顯示裝置21的制造工序的剖面圖。
圖8是示意地表示顯示裝置21的制造工序的剖面圖。
圖9是示意地表示顯示裝置21的制造工序的剖面圖。
圖10是示意地表示顯示裝置21的制造工序的剖面圖。
圖11是示意地表示顯示裝置21的制造工序的剖面圖。
圖12是示意地表示現有技術的顯示裝置1的剖面圖。
圖中:21-顯示裝置,22-TFT基板,23-層間絕緣層,24-發光元件,25-基板主體,26-基底層,27-中間層,31-切換用晶體管,32-驅動用晶體管,33-電容器,34-第一柵極,35-第一漏極,36-第一源極,37-第一半導體層,38-第一柵極絕緣膜,41-第二柵極,42一第二漏極,43-第二源極,44-第二半導體層,45-第二柵極絕緣膜,53-電介質部,56-第一電極,57-第二電極,58-有機層,59-保護膜。
具體實施方式
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