[發明專利]銅鈍化化學機械拋光組合物和方法有效

申請號：	200880117903.0	申請日：	2008-11-20
公開（公告）號：	CN101874093A	公開（公告）日：	2010-10-27
發明（設計）人：	丹妮拉·懷特;賈森·凱萊赫;約翰·帕克	申請（專利權）人：	卡伯特微電子公司
主分類號：	C09K3/14	分類號：	C09K3/14
代理公司：	北京市柳沈律師事務所 11105	代理人：	宋莉
地址：	美國伊***	國省代碼：	美國;US
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摘要：
搜索關鍵詞：	鈍化化學機械拋光組合方法
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【權利要求書】：

1.對含銅基材進行化學機械拋光(CMP)的方法，該方法包括用CMP組合物研磨含銅基材的表面，其中該CMP組合物包含：

(a)粒狀研磨劑；

(b)銅絡合劑；

(c)銅鈍化劑，其包含酸性OH基團和另外的帶有氧原子的取代基，該氧原子與所述酸性OH基團的氧原子以1，6關系排列；和

(d)為此的含水載體。

2.權利要求1的方法，其中所述銅鈍化劑為具有通式(I)的化合物、其鹽、或其部分中和的形式：

(I)A-X-Y-OH

其中A為-N(R¹)-C(＝O)-R²或-C(＝O)-NH-OH；和X為-C(R³)(R⁴)-且Y為-C(＝O)-，或者X和Y一起形成芳基，在該芳基中，式(I)中的A和OH基團以彼此呈鄰位關系排列；和其中R¹為H、經取代的C₁-C₄烷基、或未經取代的C₁-C₄烷基；R₂為經取代的C₈-C₂₀烷基或未經取代的C₈-C₂₀烷基；以及R₃和R₄各自獨立地為H、經取代的C₁-C₄烷基、或未經取代的C₁-C₄烷基。

3.權利要求1的方法，其中所述銅鈍化劑為N-?；拾彼峄衔?、其鹽、或其部分中和的形式。

4.權利要求3的方法，其中所述N-?；拾彼峄衔餅镹-?；“彼峄衔铩?/p>

5.權利要求1的方法，其中所述銅鈍化劑為鄰-羥基芳基異羥肟酸、其鹽、或其部分中和的形式。

6.權利要求1的方法，其中所述銅絡合劑選自草酸、經氨基取代的羧酸、經羥基取代的羧酸、其鹽、其部分中和的形式、以及前述材料中的兩種或更多種的組合。

7.權利要求1的方法，其中所述粒狀研磨劑以0.01～1重量％的濃度存在于所述組合物中。

8.權利要求1的方法，其中所述粒狀研磨劑包括二氧化硅。

9.權利要求1的方法，其中所述銅絡合劑以0.1～1.5重量％的濃度存在于所述組合物中。

10.權利要求1的方法，其中所述銅鈍化劑以10～1,000ppm的濃度存在于所述組合物中。

11.權利要求1的方法，其中在0.1～5重量％的氧化劑的存在下研磨所述基材的表面。

12.用于拋光含銅基材的化學機械拋光(CMP)組合物，所述組合物包含：

(a)0.01～1重量％的粒狀研磨劑；

(b)0.1～1重量％的銅絡合劑；

(d)為此的含水載體。

13.權利要求12的組合物，其中所述銅鈍化劑為具有通式(I)的化合物、其鹽、或其部分中和的形式：

(I)A-X-Y-OH

其中A為-N(R¹)-C(＝O)-R²或-C(＝O)-NH-OH；和X為-C(R³)(R⁴)-且Y為-C(＝O)-，或者X和Y一起形成芳基，在該芳基中，式(I)中的A和OH基團以彼此呈鄰位關系排列；和其中R¹為H、經取代的C₁-C₄烷基、或未經取代的C₁-C₄烷基；R²為經取代的C₈-C₂₀烷基或未經取代的C₈-C₂₀烷基；以及R₃和R₄各自獨立地為H、經取代的C₁-C₄烷基、或未經取代的C₁-C₄烷基。