[發(fā)明專利]發(fā)光器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200880115281.8
• 申請(qǐng)日: 2008-10-02
• 公開（公告）號(hào): CN101855733A
• 公開（公告）日: 2010-10-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 康鳳哲;裴德圭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;王春偉

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種發(fā)光器件及其制造方法。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(LED)是用于將電流轉(zhuǎn)化成光的半導(dǎo)體發(fā)光器件。

由比如LED發(fā)出的光的波長(zhǎng)根據(jù)用于LED的半導(dǎo)體材料而變化。這是因?yàn)樗l(fā)出光的波長(zhǎng)根據(jù)半導(dǎo)體材料的帶隙而變化，帶隙表示價(jià)帶電子與導(dǎo)帶電子之間的能量間隙。

最近，隨著LED亮度逐漸增強(qiáng)，LED被用作顯示設(shè)備的光源、照明裝置和車輛的光源。通過(guò)使用磷光體材料或者結(jié)合具有不同顏色的LED，可以實(shí)現(xiàn)具有優(yōu)異效率的發(fā)白光的LED。

發(fā)明內(nèi)容

技術(shù)問(wèn)題

實(shí)施方案提供一種發(fā)光器件及其制造方法。

實(shí)施方案提供一種具有改進(jìn)的光提取效率的發(fā)光器件及其制造方法。

實(shí)施方案提供一種具有改進(jìn)的絕緣特性的發(fā)光器件及其制造方法。

實(shí)施方案提供一種具有改進(jìn)的熱穩(wěn)定性和物理特性的發(fā)光器件及其制造方法。

技術(shù)方案

在一個(gè)實(shí)施方案中，發(fā)光器件包括：含有第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的發(fā)光半導(dǎo)體層；支撐所述發(fā)光半導(dǎo)體層同時(shí)圍繞所述發(fā)光半導(dǎo)體層的第二電極層；和在所述發(fā)光半導(dǎo)體層的側(cè)面與所述第二電極層之間的第一鈍化層。

在一個(gè)實(shí)施方案中，發(fā)光器件包括：含有第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的發(fā)光半導(dǎo)體層；在所述發(fā)光半導(dǎo)體層的側(cè)面的第一鈍化層；在所述發(fā)光半導(dǎo)體層和第一鈍化層之下以及在所述第一鈍化層側(cè)面的金屬層；在所述金屬層側(cè)面的第二鈍化層，和在第二鈍化層之下以及在第二鈍化層側(cè)面同時(shí)支撐所述發(fā)光半導(dǎo)體層的支撐層。

在一個(gè)實(shí)施方案中，制造發(fā)光器件的方法包括如下步驟：在襯底上形成含有第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的發(fā)光半導(dǎo)體層；在所述發(fā)光半導(dǎo)體層的側(cè)面和上部邊緣形成第一鈍化層以暴露所述發(fā)光半導(dǎo)體層的上部中心部分；在所述發(fā)光半導(dǎo)體層和第一鈍化層上以及在第一鈍化層的側(cè)面形成金屬層；在所述金屬層上和在所述金屬層側(cè)面形成支撐層，和移除襯底并在發(fā)光半導(dǎo)體層上形成電極層。

有益效果

實(shí)施方案可提供具有改進(jìn)的光提取效率的發(fā)光器件及其制造方法。

實(shí)施方案可提供具有改進(jìn)的絕緣特性的發(fā)光器件及其制造方法。

實(shí)施方案可提供具有改進(jìn)的熱穩(wěn)定性和物理特性的發(fā)光器件及其制造方法。

附圖說(shuō)明

圖1～6是說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施方案的發(fā)光器件及其制造方法的剖面圖。

圖7～10是說(shuō)明根據(jù)第二實(shí)施方案的發(fā)光器件及其制造方法的剖面圖。

具體實(shí)施方式

將參考附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案。

但是，本發(fā)明可以以多種不同形式實(shí)施，并且不應(yīng)解釋為限于本文中給出的示例性實(shí)施方案。相反，提供這些示例性實(shí)施方案使得本公開徹底并完整，并使得本領(lǐng)域技術(shù)人員充分知道本發(fā)明的范圍。

在全部附圖中用相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。在圖中，為清楚起見(jiàn)，可放大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。

應(yīng)理解當(dāng)如層、區(qū)域或襯底的元件稱為在另一元件“上”或“下”時(shí)，其可以直接在所述另一元件上或下，或者也可以存在中間元件。當(dāng)元件的一部分如“表面”稱為“內(nèi)”時(shí)，是指該部分與元件的其它部分相比遠(yuǎn)離器件。

應(yīng)理解，附圖中的這些措辭除了附圖中示出的方向之外還包括器件的其他方向。最后，當(dāng)元件稱為“直接”在另一元件“上”時(shí)，不存在中間元件。本文中使用的措辭“和/或”包括相關(guān)列出項(xiàng)目的一個(gè)或更多個(gè)的任何和所有組合。

圖1～6是說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施方案的發(fā)光器件及其制造方法的剖面圖。

首先，參考圖5，根據(jù)第一實(shí)施方案的發(fā)光器件包括具有支撐層700的第二電極層、在支撐層700上形成的鍵合金屬層600、和在鍵合金屬層600上形成的歐姆接觸層300。

在歐姆接觸層300上形成發(fā)光半導(dǎo)體層200，所述發(fā)光半導(dǎo)體層200包括第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層230、有源層220和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層210。在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層210上形成第一電極層800。

另外，在發(fā)光半導(dǎo)體層200和鍵合金屬層600之間形成第一和第二鈍化層400和500。

支撐層700具有朝向發(fā)光半導(dǎo)體層200突出同時(shí)圍繞發(fā)光半導(dǎo)體層200的側(cè)面的中心區(qū)域。在支撐層700上形成鍵合金屬層600。

因此，第一和第二鈍化層400和500、鍵合金屬層600和支撐層700設(shè)置在發(fā)光半導(dǎo)體層200的側(cè)面。