[發(fā)明專(zhuān)利]功率放大器及控制功率放大器的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200880113793.0
• 申請(qǐng)日: 2008-09-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101842978A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丸橋建一;田能村昌宏;島脅秀德
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 日本電氣株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H03F3/24
• 分類(lèi)號(hào): H03F3/24;H01L21/8234;H01L27/088;H03F3/60
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 趙偉

1.一種功率放大器，包括MOS晶體管和輸出匹配電路，所述MOS晶體管具有180nm或更小的柵極長(zhǎng)度，所述輸出匹配電路與所述MOS晶體管的漏極端子相連，所述功率放大器的特征在于：

向所述MOS晶體管施加利用DC狀態(tài)中可允許的電壓值歸一化的電壓Vd_n作為漏源電壓，其中Vd_n在0.5-0.9的范圍內(nèi)；

ZL(＝RL+j·XL)表示與利用所述MOS晶體管的柵極寬度W(mm)歸一化的、在從漏極端子看所述輸出匹配電路時(shí)的負(fù)載阻抗相等的值；以及

ZL的實(shí)部(RL)為RL＞0.64×Vd_n+0.19(Ω·mm)且RL＜0.64×Vd_n+1.73(Ω·mm)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的功率放大器，特征在于ZL的虛部(XL)為XL＞-1.28(Ω·mm)且XL＜2.05(Ω·mm)。

3.一種功率放大器，包括柵極長(zhǎng)度為180nm或更小的MOS晶體管，特征在于：

向所述功率放大器選擇性地施加多載波調(diào)制信號(hào)或單載波調(diào)制信號(hào)；以及

對(duì)于單載波調(diào)制，向所述MOS晶體管施加預(yù)定的DC電壓作為漏源電壓，對(duì)于多載波調(diào)制，向所述MOS晶體管施加比所述預(yù)定的DC電壓更高的DC電壓作為漏源電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求3的功率放大器，特征在于：

向所述MOS晶體管施加利用在DC狀態(tài)中可允許的電壓值歸一化的電壓Vd_n作為漏源電壓，以及

所述功率放大器包括電源電路，所述電源電路對(duì)于單載波調(diào)制產(chǎn)生設(shè)置在0.5至0.9范圍內(nèi)的Vd_n，對(duì)于多載波調(diào)制產(chǎn)生比單載波調(diào)制的范圍更高的Vd_n。

5.根據(jù)權(quán)利要求3的功率放大器，特征在于：

向所述MOS晶體管施加利用在DC狀態(tài)中可允許的電壓值歸一化的電壓Vd_n作為漏源電壓，以及

所述功率放大器包括電源電路，所述電源電路對(duì)于單載波調(diào)制產(chǎn)生設(shè)置在0.5至0.9范圍內(nèi)的Vd_n，對(duì)于多載波調(diào)制產(chǎn)生在0.9至1范圍內(nèi)、比單載波調(diào)制的范圍更高的Vd_n。

6.一種功率放大器，包括多個(gè)功率放大器單元，每個(gè)功率放大器單元包括柵極長(zhǎng)度為180nm或更小的MOS晶體管，所述功率放大器的特征在于：

將至少一個(gè)功率放大器單元指定為向其施加單載波調(diào)制信號(hào)的單載波功率放大器單元，并且將與其不同的至少一個(gè)功率放大器單元指定為向其施加多載波調(diào)制信號(hào)的多載波功率放大器單元；

向所述單載波功率放大器單元中的所述MOS晶體管施加預(yù)定的DC電壓作為漏源電壓；以及

向所述多載波功率放大器單元中的所述MOS晶體管施加比所述預(yù)定的DC電壓更高的DC電壓作為漏源電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求6的功率放大器，特征在于：

向所述MOS晶體管施加利用在DC狀態(tài)中可允許的電壓值歸一化的電壓Vd_n作為漏源電壓，以及

所述功率放大器包括電源電路，用于向所述單載波功率放大器單元中的所述MOS晶體管施加設(shè)置在0.5至0.9范圍內(nèi)的Vd_n以及向所述多載波功率放大器單元中的所述MOS晶體管施加比單載波調(diào)制的范圍更高的Vd_n。

8.根據(jù)權(quán)利要求6的功率放大器，特征在于：

向所述MOS晶體管施加利用在DC狀態(tài)中可允許的電壓值歸一化的電壓Vd_n作為漏源電壓，以及

所述功率放大器包括電源電路，用于向所述單載波功率放大器單元中的所述MOS晶體管施加設(shè)置在0.5至0.9范圍內(nèi)的Vd_n，以及向所述多載波功率放大器單元中的所述MOS晶體管施加在0.9至1范圍內(nèi)、比單載波調(diào)制的范圍更高的Vd_n。

9.根據(jù)權(quán)利要求3至8中任一項(xiàng)的功率放大器，特征在于所述單載波調(diào)制是ASK、FSK、BPSK、QPSK、8相PSK或16QAM之一，并且所述多載波調(diào)制是OFDM。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)的功率放大器，特征在于所述MOS晶體管是n溝道的。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)的功率放大器，特征在于所述MOS晶體管通過(guò)CMOS工藝形成。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至11項(xiàng)中任一項(xiàng)的功率放大器，其中所述功率放大器在等于或高于10GHz的頻率下工作。