[發明專利]無鉛導電組合物以及用于制造半導體裝置的方法:焊劑材料

無效

• 申請號: 200880112323.2
• 申請日: 2008-10-20
• 公開（公告）號: CN101821816A
• 公開（公告）日: 2010-09-01
• 發明（設計）人: A·F·卡羅爾;K·W·杭
• 申請（專利權）人: E.I.內穆爾杜邦公司
• 主分類號: H01B1/16
• 分類號: H01B1/16;H01B1/22;C03C8/18;C03C17/00;C03C17/06
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 郭輝

1.導電組合物，所述導電組合物包含：

a)導電銀；

b)一種或多種焊劑材料，其中所述焊劑材料為無鉛的；分散于

c)有機載體。

2.權利要求1的組合物，其中所述組合物包含按所述導電組合物的重量計0.5-13重量％的焊劑材料。

3.權利要求2的組合物，其中所述組合物包含按所述導電組合物的重量計1.5-5重量％的焊劑材料。

4.權利要求1的組合物，其中所述焊劑材料包括選自下列的一種或多種組分：ZnF₂、AgBi(PO₃)₄、AgZnF₃-AgF、LiZn(PO₃)₃、和Cu₃B₂O₆。

5.權利要求1的組合物，所述組合物還包含一種或多種含鋅添加劑。

6.權利要求1的組合物，所述組合物還包含一種或多種玻璃料。

7.權利要求6的組合物，其中所述一種或多種玻璃料為所述總組合物的0-1重量％。

8.結構，所述結構包括：

(a)厚膜組合物，所述厚膜組合物包含：

a)導電銀；

b)一種或多種焊劑材料，其中所述焊劑材料為無鉛的；分散于

c)有機介質；

(b)一個或多個絕緣膜；

其中所述厚膜組合物在所述一個或多個絕緣膜上形成，并且其中，在焙燒時，所述有機介質被移除。

9.權利要求8的結構，其中所述一個或多個絕緣膜被所述組合物的組分穿透。

10.權利要求8的結構，所述結構還包括一個或多個半導體基板。

11.權利要求10的結構，其中所述結構為太陽能電池。

12.權利要求8的結構，其中所述絕緣膜包括選自下列的一種或多種組分：氧化鈦、氮化硅、SiNx:H、氧化硅、以及氧化硅/氧化鈦。

13.制造半導體裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

(a)提供一個或多個半導體基板、一個或多個絕緣膜、以及厚膜組合物，其中所述厚膜組合物包含：a)導電銀，b)一種或多種焊劑材料，其中所述焊劑材料為無鉛的，分散于c)有機介質中，

(b)將所述絕緣膜施加在所述半導體基板上，

(c)將所述厚膜組合物施加在所述半導體基板上的絕緣膜上，以及

(d)焙燒所述半導體、絕緣膜和厚膜組合物，

其中，在焙燒時，所述有機載體被移除，所述銀和焊劑材料被燒結。