[發明專利]發光器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200880111638.5
• 申請日: 2008-10-13
• 公開（公告）號: CN101828270A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發明（設計）人: 金根浩;宋鏞先;元裕鎬
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李春暉;李德山

1.一種發光器件，包括：

導電襯底；

在所述導電襯底上的絕緣層；

在所述絕緣層上的多個發光器件單元；

將所述發光器件單元相互電連接的連接層；

將所述導電襯底與至少一個發光器件單元電連接的第一接觸部分；以及

在所述至少一個發光器件單元上的第二接觸部分。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述發光器件單元包括第一導電半導體層、有源層以及第二導電半導體層。

3.根據權利要求2所述的發光器件，其中所述發光器件單元包括在所述第二導電半導體層上或在所述第二導電半導體層下的歐姆接觸層。

4.根據權利要求2所述的發光器件，其中所述連接層將所述發光器件單元的第一導電半導體層與相鄰的發光器件單元的第二導電半導體層電連接。

5.根據權利要求2所述的發光器件，其中所述第一接觸部分將所述導電襯底與所述第二導電半導體層電連接，且所述第二接觸部分與所述第一導電半導體層電連接。

6.根據權利要求2所述的發光器件，包括在所述第一導電半導體層上的透明電極層，其中所述第二接觸部分在所述透明電極層上形成。

7.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述絕緣層包括第一和第二絕緣層，且所述連接層至少形成在所述第一和第二絕緣層之間的部分。

8.根據權利要求3所述的發光器件，其中所述歐姆接觸層包括歐姆金屬層和反射金屬層中的至少一種。

9.一種發光器件，包括：

導電襯底；

在所述導電襯底上的絕緣層；

被所述絕緣層彼此電隔離的多個發光器件單元；

將所述發光器件單元相互電連接的連接層；

通過穿過所述絕緣層將所述導電襯底與至少一個發光器件單元電連接的第一接觸部分；以及

在所述至少一個發光器件單元上的第二接觸部分。

10.根據權利要求9所述的發光器件，其中所述導電襯底通過電鍍工藝來形成。

11.根據權利要求9所述的發光器件，其中所述發光器件單元包括第一導電半導體層、有源層以及第二導電半導體層，且所述第二接觸部分在所述第一導電半導體層上形成。

12.根據權利要求11所述的發光器件，包括在所述第二導電半導體層下的歐姆接觸層，其中所述第一接觸部分在所述歐姆接觸層下形成。

13.根據權利要求9所述的發光器件，其中所述絕緣層包括具有至少一個通孔的第一絕緣層以及在所述第一絕緣層和所述連接層下的第二絕緣層。

14.一種用于制造發光器件的方法，所述方法包括以下步驟：

在襯底上形成導電半導體層、有源層以及第二導電半導體層；

通過選擇性地去除所述第一導電半導體層、所述有源層以及所述第二導電半導體層來形成多個發光器件單元；

在所述發光器件單元上形成第一絕緣層，以部分地暴露出所述第一和第二導電半導體層；

形成將所述第一導電半導體層與所述第二導電半導體層電連接的連接層，使得所述發光器件單元相互電連接；

在所述第一絕緣層、所述發光器件單元和所述連接層上形成第二絕緣層，以部分地暴露出所述發光器件單元；

通過選擇性地去除所述第二絕緣層來形成第一接觸孔；

在所述第一接觸孔中形成第一接觸部分，并在所述第二絕緣層上形成導電襯底；以及

去除所述襯底，并形成與至少一個發光器件單元電連接的第二接觸部分。

15.根據權利要求14所述的發光器件，其中將所述第二導電半導體層、所述有源層以及所述第一導電半導體層垂直布置，所述第一接觸部分與所述第二導電半導體層電連接，以及所述第二接觸部分與所述第一導電半導體層電連接。