[發明專利]等離子體顯示裝置

無效

• 申請號: 200880111570.0
• 申請日: 2008-02-03
• 公開（公告）號: CN101821830A
• 公開（公告）日: 2010-09-01
• 發明（設計）人: 崔允暢;玉治軟;金元在;姜成昊;沈敬烈
• 申請（專利權）人: LG電子株式會社
• 主分類號: H01J17/49
• 分類號: H01J17/49
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝

1.一種等離子體顯示裝置，該等離子體顯示裝置包括：等離子體顯示面板，其包括形成在上基板上的多個掃描電極和維持電極及介電層、以及形成在下基板上的多個尋址電極；以及驅動器，其用于將驅動信號提供給上述多個電極，所述等離子體顯示裝置包括：

第一層，其發射峰值處于第一波長區域的光；以及

第二層，其發射峰值處于比所述第一波長區域低的第二波長區域的光，所述第一層和所述第二層位于所述上基板的介電層上，

其中，所述多個掃描電極分成第一組和第二組而被提供掃描信號，并且，在尋址時段中的至少一個時段中提供給所述第一組和所述第二組的掃描偏壓彼此不同。

2.如權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，所述第二層包括多個氧化鎂(MgO)晶體。

3.如權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中：

所述第一層和所述第二層包括氧化鎂(MgO)，并且

所述第二層中包括的氧化鎂(MgO)晶體的尺寸大于所述第一層中包括的氧化鎂(MgO)晶體的尺寸。

4.如權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，所述第一層和所述第二層位于所述介電層與所述下基板之間。

5.如權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，所述第一層和所述第二層中的所述第一層更為靠近所述介電層。

6.如權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，所述第一波長區域在300nm到400nm的范圍內。

7.如權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，所述第二波長區域在200nm到300nm的范圍內。

8.如權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，所述第二層形成在所述上基板上的部分區域中。

9.如權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，所述第二層形成在與所述多個掃描電極和維持電極中的至少一個交疊的位置。

10.如權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，在所述尋址時段中的至少一個時段中提供給所述第一組掃描電極和所述第二組掃描電極的掃描偏壓之間的差在從30V到160V的范圍內。

11.如權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中：

所述尋址時段依次包括分別將掃描信號提供給所述第一組和所述第二組的第一組掃描時段和第二組掃描時段，并且

在所述第一組掃描時段中，提供給所述第二組的掃描偏壓高于提供給所述第一組的掃描偏壓。

12.如權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中：

所述尋址時段依次包括分別將掃描信號提供給所述第一組和所述第二組的第一組掃描時段和第二組掃描時段，并且

在所述第一組掃描時段內提供給所述第二組的掃描偏壓高于在所述第二組掃描時段內提供給所述第二組的掃描偏壓。

13.如權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中：

所述尋址時段依次包括分別將掃描信號提供給屬于所述第一組的第一子組和第二子組的第一掃描時段和第二掃描時段，并且

在所述第一掃描時段中，提供給所述第一子組的第一掃描偏壓低于提供給所述第二子組的第二掃描偏壓。

14.如權利要求13所述的等離子體顯示裝置，其中，所述第二掃描偏壓高于在所述第二掃描時段內提供給所述第二子組的第三掃描偏壓。

15.如權利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中：

所述尋址時段依次包括分別將掃描信號提供給所述第一組和所述第二組的第一組掃描時段和第二組掃描時段，并且

在所述第一組掃描時段與所述第二組掃描時段之間的時段中，將逐漸下降的降壓信號提供給所述第一組和所述第二組中的至少一方。

16.如權利要求15所述的等離子體顯示裝置，其中，在復位時段中提供給所述第二組的復位信號的最低電壓高于在所述第一組掃描時段與所述第二組掃描時段之間的時段中提供給所述第二組的所述降壓信號的最低電壓。

17.如權利要求15所述的等離子體顯示裝置，其中，提供給所述第一組的復位信號的最低電壓低于提供給所述第二組的復位信號的最低電壓。