[發明專利]硅蝕刻液和蝕刻方法有效
| 申請號： | 200880109890.2 | 申請日： | 2008-09-22 |
| 公開（公告）號： | CN101884095A | 公開（公告）日： | 2010-11-10 |
| 發明（設計）人： | 矢口和義;外赤隆二 | 申請（專利權）人： | 三菱瓦斯化學株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/308 | 分類號： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 蝕刻 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅蝕刻液，其特征在于，該硅蝕刻液各向異性地溶解單晶硅，其為含有(1)氫氧化季銨和(2)氨基胍鹽的水溶液。
2.根據權利要求1所述的硅蝕刻液，其中，(1)氫氧化季銨為氫氧化四甲銨。
3.根據權利要求1所述的硅蝕刻液，其中，(2)氨基胍鹽選自氨基胍碳酸氫鹽、氨基胍硫酸鹽、氨基胍鹽酸鹽和氨基胍硝酸鹽中的1種以上。
4.根據權利要求1所述的硅蝕刻液，其中，(1)氫氧化季銨的濃度為3～30質量％，(2)氨基胍鹽的濃度為1～20質量％。
5.根據權利要求1所述的硅蝕刻液，其pH值為11以上。
6.一種硅蝕刻方法，其具有將蝕刻對象物浸漬于權利要求1所述的硅蝕刻液的工序。
7.根據權利要求6所述的硅蝕刻方法，其中，(2)氨基胍鹽選自氨基胍碳酸氫鹽、氨基胍硫酸鹽、氨基胍鹽酸鹽和氨基胍硝酸鹽中的1種以上。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
