[發明專利]中孔納米顆粒層的構圖方法有效
| 申請號: | 200880109109.1 | 申請日: | 2008-09-09 |
| 公開(公告)號: | CN101809194A | 公開(公告)日: | 2010-08-18 |
| 發明(設計)人: | J·貝克 | 申請(專利權)人: | 伊斯曼柯達公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;H01G9/20 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 趙蘇林;韋欣華 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 納米 顆粒 構圖 方法 | ||
1.在導電性基板上將中孔納米顆粒層構圖的方法,包括以下步驟: 在該導電性基板上沉積圖案,通過原子層沉積在該基板上沉積二氧化鈦 層,用溶劑除去底下的圖案以留下二氧化鈦的離散區域,在整個基板上沉 積中孔納米顆粒層,和通過原子層沉積在該中孔納米顆粒層上面沉積二氧 化鈦的第二層,藉此在以溶劑除去第一二氧化鈦層的區域上,中孔納米顆 粒層和第二二氧化鈦層的區域脫落,留下圖案化中孔納米顆粒層。
2.根據權利要求1的方法,其中通過同時沿著伸長溝道引導一系列氣 流,使得該氣流與基板的表面基本上平行并基本上彼此平行來沉積二氧化 鈦,藉此基本上阻止氣流沿相鄰伸長溝道的方向流動,其中該一系列氣流 依次包含至少第一反應性氣態材料、惰性吹掃氣和第二反應性氣態材料, 任選地重復多次,其中該第一反應性氣態材料能夠與用該第二反應性氣態 材料處理過的基板表面反應。
3.根據權利要求1或2的方法,其中所述中孔納米顆粒層由二氧化鈦 形成。
4.根據權利要求1或2的方法,其中所述中孔納米顆粒層是染料敏化 的。
5.根據權利要求1或2的方法,其中通過添加式印刷方法施加圖案。
6.根據權利要求5的方法,其中通過噴墨印刷施加圖案。
7.根據權利要求5的方法,其中通過苯胺印刷施加圖案。
8.根據權利要求5的方法,其中借助于含水不溶性油墨的書寫設備施 加圖案。
9.根據權利要求5的方法,其中以輥對輥方式施加圖案。
10.根據權利要求1或2的方法,其中通過原子層沉積沉積的TiO2層中 的每一個具有小于100nm的厚度。
11.根據權利要求10的方法,其中通過原子層沉積沉積的TiO2層中的 每一個具有小于20nm的厚度。
12.根據權利要求10的方法,其中通過原子層沉積沉積的TiO2層中的 每一個具有小于5nm的厚度。
13.包括通過權利要求1的方法制造的層的光電池。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





