[發(fā)明專利]介晶二聚物有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200880108727.4 | 申請(qǐng)日: | 2008-08-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101809119A | 公開(公告)日: | 2010-08-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | K·阿德勒姆;O·L·帕里;K·斯科瓊尼曼德;D·韋爾克斯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 默克專利股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C09K19/30 | 分類號(hào): | C09K19/30;C09K19/32;C09K19/34;C09K19/38;C09K19/40 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 鄧毅 |
| 地址: | 德國達(dá)*** | 國省代碼: | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 介晶二聚物 | ||
1.包含兩個(gè)子單元的化合物,其中每個(gè)子單元包含
-包含一個(gè)或多個(gè)非芳族環(huán)的兩個(gè)介晶基團(tuán),
-任選地,一個(gè)或多個(gè)直接或者通過間隔基團(tuán)連接到至少一個(gè)介晶 基團(tuán)的可聚合基團(tuán),和
-連接介晶基團(tuán)的橋接基團(tuán),其包含一個(gè)或多個(gè)選自π共軛線型碳 基、芳族和雜芳族基團(tuán)的子基團(tuán),并且連接到每個(gè)介晶基團(tuán)的非芳族 環(huán)中的sp3-雜化C-原子或Si-原子。
2.權(quán)利要求1的化合物,其特征在于,所述介晶基團(tuán)包含比不飽 和環(huán)多的飽和環(huán)。
3.權(quán)利要求2的化合物,其特征在于,所述介晶基團(tuán)包含比芳族 環(huán)多的飽和環(huán)。
4.權(quán)利要求1的化合物,其特征在于,所述橋接基團(tuán)由選自π共 軛線型碳基、芳族和雜芳族基團(tuán)的子基團(tuán)組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其特征在于,橋接基團(tuán)在軸向 位置連接于包含在介晶基團(tuán)中的亞環(huán)己基環(huán)或silanane環(huán),其任選被 取代以及其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰的C-原子任選被Si代替和/或一個(gè)或 多個(gè)不相鄰的CH2基團(tuán)任選被-O-和/或-S-代替。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,選自下式
其中
W是間隔基團(tuán),
U1,2彼此獨(dú)立地選自
包括它們的鏡像體,其中環(huán)U1和U2各自經(jīng)由軸向鍵鍵合到基 團(tuán)-(B)q-,并且在這些環(huán)中一個(gè)或兩個(gè)不相鄰的CH2基團(tuán)任選 被O和/或S代替,以及環(huán)U1和U2任選被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)L 取代,
L選自P-Sp-、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2,-NCO、-NCS、-OCN、 -SCN、-C(=O)NR0R00、-C(=O)X、-C(=O)OR0、-C(=O)R0、-NR0R00、 -OH、-SF5、任選取代的甲硅烷基,和具有1到12個(gè)C原子 的直鏈或支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基 羰基氧基或烷氧基羰基氧基,其中一個(gè)或多個(gè)H原子任選被 F或Cl代替,其中X是鹵素,
Q1,2彼此獨(dú)立地是CH或SiH,
Q3是C或Si,
B每次出現(xiàn)時(shí)彼此獨(dú)立地是-C≡C-,-CY1=CY2-或任選取代的芳 族或雜芳族基團(tuán),
Y1,2彼此獨(dú)立地是H、F、Cl、CN或R0,
q是1到10的整數(shù),
A1-4彼此獨(dú)立地選自非芳族或芳族碳環(huán)或雜環(huán)基團(tuán),其任選被一 個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R5取代,以及其中-(A1-Z1)m-U1-(Z2-A2)n-和 -(A3-Z3)o-U2-(Z4-A4)p-每個(gè)均不包含比非芳族基團(tuán)多的芳族基團(tuán),
Z1-4彼此獨(dú)立地相同或不同地選自-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、 -O-COO-、-CO-NR0-、-NR0-CO-、-NR0-CO-NR0-、-OCH2-、-CH2O-、 -SCH2-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-CH2CH2-、 -(CH2)3-、-(CH2)4-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-CF2CF2-、-CY1=CY2-、 -CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-、 -C(R0)(R00)-或單鍵,
R0和R00彼此獨(dú)立地是H或具有1到12個(gè)C原子的烷基,
m、n、o和p彼此獨(dú)立地是0、1、2、3或4,
R1-5彼此獨(dú)立地相同或不同地選自H、鹵素、-CN、-NC、-NCO、 -NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR0R00、-C(=O)R0、-NR0R00、-SR0、 -SO3H、-SO2R0、-OH、-NO2、-CF3、-SF5、任選取代的甲硅烷基、 或任選取代以及任選包含一個(gè)或多個(gè)雜原子的具有1到40 個(gè)C原子的碳基,或表示P或P-Sp-,或被P或P-Sp-取代, 其中該化合物包含至少一個(gè)表示P或P-Sp-或被P或P-Sp- 取代的基團(tuán)R1-5,
P是可聚合基團(tuán),
Sp是間隔基團(tuán)或單鍵。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于默克專利股份有限公司,未經(jīng)默克專利股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200880108727.4/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:陣列基板
- 下一篇:改性表面和用于對(duì)表面進(jìn)行改性的方法





