[發明專利]Ag電極漿料、太陽電池單元及其制造方法有效
| 申請號: | 200880108438.4 | 申請日: | 2008-08-18 |
| 公開(公告)號: | CN101809758A | 公開(公告)日: | 2010-08-18 |
| 發明(設計)人: | 川口義博 | 申請(專利權)人: | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號: | H01L31/04 | 分類號: | H01L31/04 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 張寶榮 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | ag 電極 漿料 太陽電池 單元 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種Ag電極漿料、使用該漿料形成受光面側電極的太陽 電池單元、及具備使用所述Ag電極漿料形成受光面側電極的工序的太陽 電池單元的制造方法。
背景技術
作為目前的太陽電池單元的制造方法,公開了在半導體基板上形成 PN結后,在該半導體基板至少一主面上形成梳齒狀的叉指電極、連接于 該叉指電極的母線電極的太陽電池單元的制造方法,其中,將導電性漿料 2次印刷并通過燒制而形成二層結構的母線電極(參照專利文獻1的圖1~ 圖4)。
該太陽電池單元的制造方法中,在太陽電池單元表面的二層結構的 母線電極(在實施例中為Ag電極)中,通過在第一層的母線電極確保Ag 電極/Si基板間的歐姆接觸,在第二層的母線電極使電極的線電阻降低, 由此提高太陽電池單元的轉換效率。
另外,涉及一種結晶硅太陽電池單元的Ag/Al電極漿料,且提案有 使用以下的組成的無鉛玻璃料的電極漿料(專利文獻2)。
SiO2:0.5~35wt%
Al2O3:0~5wt%
B2O3:1~15wt%
ZnO:0~15wt%
Bi2O3:55~90wt%
但是,如上述專利文獻1,在具有由Ag電極構成的2層的母線電極 (受光面側電極)的太陽電池單元的情況下,包含于上層母線電極形成用的 Ag電極漿料的玻璃料在電極燒制時在上層側的母線電極的表面流動,例 如,在于上層側的母線電極焊接引線等的情況下,存在阻礙焊接浸潤性這 樣的問題。
另外,上層側的母線電極形成用的Ag電極漿料中包含的玻璃料過量 向下層側的母線電極流動時,阻礙了下層側的母線電極和Si基板之間的 歐姆接觸,使太陽電池單元的轉換效率可能降低。
進而,存在如下問題點,Ag電極漿料燒制時,在從下層側的母線電 極(Ag電極)產生的氣體(粘合劑的分解氣體及燃燒氣體等)排盡之前,上層 側的母線電極的燒結完成時,由于上述的氣體而產生氣泡。
另外,專利文獻2的電極漿料涉及一種Ag/Al電極,對用于本申請 中使用的Ag電極漿料的無鉛玻璃料不是提供有用的信息,在作為太陽電 池單元的受光面側電極形成Ag電極的情況性下,得到特性更良好的太陽 電池單元的方法,專利文獻2沒有指出確實實際情況。
專利文獻1:日本特開2006-339342號公報
專利文獻2:日本特開2006-313744號公報
發明內容
本發明鑒于上述情況而創立的,其目的在于,提供一種可以得到具 備線電阻小的受光面側電極的轉換效率高的太陽電池單元的受光面側電 極形成用Ag電極漿料、使用其制造的特性良好的太陽電池單元、及其制 造方法,進而,即使將受光面側電極制成二層結構的情況下,也可以減低 受光面側電極的線電阻,同時,提供一種可以不使下層側的Ag電極(第 一電極)和半導體基板的界面電阻上升,而可以得到轉換效率高的太陽電 池單元的Ag電極漿料、使用其制造的特性良好的太陽電池單元、及其制 造方法。
為了解決上述課題,本發明第一方面提供一種Ag電極漿料,其用于 太陽電池單元的受光面側電極的形成,該太陽電池單元具備半導體基板、 配設于在所述半導體基板的相互對向的一對主面中作為受光面起作用的 一主面的所述受光面側電極和配設于另一主面的背面側電極,所述Ag電 極漿料含有:
(A)Ag粒子、
(B)有機載體、
(C)以SiO2:13~17重量%
B2O3:0~6重量%
Bi2O3:65~75重量%
Al2O3:1~5重量%
TiO2:1~3重量%
CuO:0.5~2重量%
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社村田制作所,未經株式會社村田制作所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200880108438.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:鋰離子二次電池的充電方法以及充放電方法
- 下一篇:數字磁珠分析的裝置和方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





