[發(fā)明專利]成膜裝置和成膜方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200880108045.3
• 申請日: 2008-09-19
• 公開（公告）號: CN101802255A
• 公開（公告）日: 2010-08-11
• 發(fā)明（設計）人: 松本賢治
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: C23C16/18
• 分類號: C23C16/18;H01L21/28;H01L21/285
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種成膜裝置，其用于向被處理基板上供給含有Cu原料氣體和Mn原料氣體的氣體，形成CuMn膜，其特征在于，具備：

收容被處理基板的處理容器；

氣體供給部，其用于向處理容器內(nèi)供給含有Cu原料氣體和Mn原料氣體的氣體；

氣體導入部，其用于向所述處理容器內(nèi)導入來自所述氣體供給部的氣體；和

對所述處理容器內(nèi)進行排氣的排氣機構，其中，

所述氣體供給部具有：儲存液態(tài)的Cu原料的Cu原料儲存部；

儲存液態(tài)的Mn原料的Mn原料儲存部；

使所述Cu原料和所述Mn原料氣化的一個氣化器；

從所述Cu原料儲存部和所述Mn原料儲存部向所述氣化器導入Cu原料和Mn原料的原料供給單元；和

從所述氣化器向所述氣體導入部導入Cu原料氣體和Mn原料氣體的原料氣體供給配管。

2.如權利要求1所述的成膜裝置，其特征在于：

所述Cu原料和所述Mn原料處于溶解在溶劑中的狀態(tài)。

3.如權利要求1所述的成膜裝置，其特征在于，所述氣體供給部還具有：

儲存清潔用的蝕刻溶液的蝕刻溶液儲存部；和

從所述蝕刻溶液儲存部向所述氣化器導入蝕刻溶液的蝕刻溶液供給單元，

蝕刻溶液在所述氣化器中被氣化。

4.如權利要求3所述的成膜裝置，其特征在于：

所述被氣化的蝕刻氣體被供給到所述處理容器、所述氣體導入部、所述原料氣體供給配管，對它們進行清潔。

5.如權利要求3所述的成膜裝置，其特征在于：

所述被氣化的蝕刻氣體，在形成CuMn膜之前被供給到所述處理容器內(nèi)，進行CuMn膜形成前的基板的還原清潔。

6.如權利要求3所述的成膜裝置，其特征在于：

所述蝕刻溶液是有機酸。

7.如權利要求6所述的成膜裝置，其特征在于：

所述蝕刻溶液選自H(hfac)、TFAA(三氟乙酸)、乙酸、甲酸。

8.一種成膜裝置，其用于向被處理基板上供給含有Cu原料氣體和Mn原料氣體的氣體，形成CuMn膜，其特征在于，具備：

收容被處理基板的處理容器；

氣體供給部，其用于向處理容器內(nèi)供給含有Cu原料氣體和Mn原料氣體的氣體；

氣體導入部，其用于向所述處理容器內(nèi)導入來自所述氣體供給部的氣體；和

對所述處理容器內(nèi)進行排氣的排氣機構，其中，

所述氣體供給部具有：儲存液態(tài)的Cu原料的Cu原料儲存部；

儲存液態(tài)的Mn原料的Mn原料儲存部；

導入所述Cu原料和所述Mn原料、將兩者混合的混合部；

從所述Cu原料儲存部向所述混合部導入Cu原料的Cu原料供給配管；

從所述Mn原料儲存部向所述混合部導入Mn原料的Mn原料供給配管；

使在所述混合部形成的所述Cu原料和所述Mn原料的混合體氣化的一個氣化器；

從所述混合部向所述氣化器導入所述混合體的混合原料供給單元；和

原料氣體供給配管，其用于向所述氣體導入部導入在所述氣化器中所述混合體氣化而形成的原料氣體。

9.如權利要求8所述的成膜裝置，其特征在于：

所述氣體供給部具有流量控制機構，該流量控制機構用于控制所述Cu原料的流量和所述Mn原料的流量。

10.如權利要求8所述的成膜裝置，其特征在于：

在40～200℃范圍內(nèi)的相同溫度下，Cu原料的蒸氣壓與Mn原料的蒸氣壓之比在1∶20～20∶1的范圍內(nèi)。

11.如權利要求10所述的成膜裝置，其特征在于：

所述Cu原料是Cu(hfac)TMVS和Cu(hfac)₂的任一種，所述Mn原料是(MeCp)₂Mn、(EtCp)₂Mn和(MeCp)Mn(CO)₃的任一種。

12.如權利要求8所述的成膜裝置，其特征在于：

所述Cu原料和所述Mn原料溶解在共同的溶劑中。