[發(fā)明專利]用于檢測半導體異常的裝置和方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200880104890.3
• 申請日: 2008-08-29
• 公開（公告）號: CN101796398A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發(fā)明（設計）人: D·詹森斯;L·范德海特;J·德格里夫;L·戈維爾茨
• 申請（專利權）人: ICOS視覺系統(tǒng)股份有限公司
• 主分類號: G01N21/95
• 分類號: G01N21/95;G01N21/88;G06T7/00;H01L21/00;H01L21/66
• 代理公司: 北京嘉和天工知識產(chǎn)權代理事務所 11269
• 代理人: 嚴慎

1.一種用于檢測半導體襯底中異常的方法，包括以下步驟：

a.提供半導體襯底，

b.制作所述襯底的檢查圖像I，

c.通過圖像處理從圖像I生成圖像K，

d.通過使圖像K二值化而生成圖像B，

e.使用圖像B檢視圖像I，該步驟e還包括：

使圖像B的像素聚類并成組，以及

揀選圖像I中相應的像素聚類并且保留具有最高對比度的聚類；

其特征在于，步驟c包括將得自于圖像I的高通卷積濾波圖像G(I)乘以通過對圖像I 進行模糊加權或二值化圖像I而生成的第一權重圖像W1。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，還包括制作所述襯底的圖像J的步驟b’，并且其中 所述第一權重圖像W1是通過對得自于圖像J的高通卷積濾波圖像G(J)進行模糊加權或閾 值濾波而生成的。

3.根據(jù)權利要求1-2之一所述的方法，其中所述高通卷積濾波圖像G(I)是通過3X3 拉普拉斯卷積濾波實現(xiàn)的。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中步驟b包括以具有在NIR范圍內的波長的背光 照亮所述襯底。

5.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中步驟b包括以具有在NIR范圍內的波長的背光 照亮所述襯底，并且步驟b’包括以具有與所述背光等同波長范圍的漫射前光照亮所述襯 底。

6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述異常包括穿透和/或非穿透的微裂。

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述半導體襯底具有多晶硅。

8.一種用于檢測半導體襯底中異常的裝置，包括：

a.用于保持半導體襯底的裝置，

b.用于照亮所述襯底背側的背光源，

c.用于照亮所述襯底前側的漫射前光源，

d.用于捕獲所述照亮的襯底的圖像的照相機，

e.用于通過以下方式處理所述捕獲的圖像的圖像處理單元：將得自于所述捕獲的圖像 的高通卷積濾波圖像G(I)乘以通過對所述捕獲的圖像進行模糊加權或閾值濾波所述捕獲 的圖像而生成的第一權重圖像W1，由此生成經(jīng)處理的圖像K，其中所述圖像處理單元通 過二值化圖像K生成圖像B；

其特征在于，所述背光和漫射前光的波長在等同的范圍內。

9.根據(jù)權利要求8所述的裝置，所述照相機為單個照相機。

10.根據(jù)權利要求8-9之一所述的裝置，其中所述波長在NIR范圍內。

11.根據(jù)權利要求10所述的裝置，其中所述波長選自介于935納米和965納米之間 的范圍。

12.根據(jù)權利要求11所述的裝置，其中，所述波長基本上為950納米。

13.根據(jù)權利要求8所述的裝置，還包括阻擋可見光的光學濾波器。

14.根據(jù)權利要求8所述的裝置，其中所述背光源包括這樣安裝的LED，即所述LED 被安裝為在兩個LED之間具有一距離并且距離所述半導體襯底一距離，從而每個LED的 光與至少一個其他LED的光重疊。

15.根據(jù)權利要求8所述的裝置，其中所述漫射前光源包括這樣安裝的LED，即所述 LED被安裝為在兩個LED之間具有一距離并且距離所述半導體襯底一距離，從而每個 LED的光與至少一個其他LED的光重疊。