[發明專利]降低蝕刻的多層疊片中的殘留物形成在審
申請號: | 200880104773.7 | 申請日: | 2008-08-25 |
公開(公告)號: | CN101816062A | 公開(公告)日: | 2010-08-25 |
發明(設計)人: | F·Y·徐;W·劉;C·B·布羅克斯;D·L·拉布拉克;D·J·倫茨 | 申請(專利權)人: | 分子制模股份有限公司 |
主分類號: | H01L21/302 | 分類號: | H01L21/302;H01L21/461 |
代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 郭輝 |
地址: | 美國得*** | 國省代碼: | 美國;US |
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搜索關鍵詞: | 降低 蝕刻 多層 中的 殘留物 形成 | ||
1.一種形成用于印刻平版印刷術的多層疊片的方法,所述方法包括:
(i)將第一可聚合的組合物施加到基材上;
(ii)聚合第一可聚合組合物,形成第一聚合層;
(iii)將第二可聚合的組合物施加到第一聚合層;并
(iv)聚合第二可聚合組合物,在第一聚合層上形成第二聚合層;
其中,所述第一可聚合組合物包含可聚合的組分,其玻璃化轉變溫度小于約25℃;和
所述第二可聚合的組合物基本不能透過所述第一聚合層。
2.如權利要求1所述的方法,所述方法還包括蝕刻多層疊片以形成凹穴,其中,第一可聚合組合物基本不含硅,第二可聚合組合物含硅,所述凹穴基本不含形成的含硅殘留物。
3.如權利要求1所述的方法,所述方法還包括蝕刻多層疊片來形成凹穴,所述凹穴基本不含殘留物。
4.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一可聚合的組合物基本不含硅。
5.如權利要求4所述的方法,其特征在于,所述第一可聚合的組合物包含小于約1重量%的硅。
6.如權利要求5所述的方法,其特征在于,所述第一可聚合的組合物包含小于約0.1重量%的硅。
7.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二可聚合的組合物包含硅。
8.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一可聚合的組合物包含單官能團可聚合的組分、多官能團可聚合的組分以及光引發劑。
9.如權利要求8所述的方法,其特征在于,所述單官能團可聚合的組分的玻璃化轉變溫度小于約25℃。
10.如權利要求8所述的方法,其特征在于,所述單官能團可聚合的組分的玻璃化轉變溫度小于約0℃。
11.一種形成用于印刻平版印刷術的多層疊片的方法,所述方法包括:
(i)將第一可聚合的組合物施加到基材上,所述第一可聚合的組合物包含小于約1重量%的硅;
(ii)聚合第一可聚合組合物,形成印刻層;
(iii)將第二可聚合的組合物施加到印刻層;并
(iv)聚合第二可聚合組合物,在第一聚合層上形成第二聚合層;
其中,所述第一可聚合組合物包含可聚合的組分,其玻璃化轉變溫度小于約25℃;和
所述第二可聚合的組合物基本不能透過所述第一聚合層。
12.如權利要求11所述的方法,其特征在于,所述第一可聚合的組合物包含小于約0.1重量%的硅。
13.如權利要求11所述的方法,其特征在于,所述第一可聚合的組合物基本不含硅。
14.如權利要求11所述的方法,其特征在于,所述第二可聚合的組合物包含至少約5重量%的硅。
15.如權利要求11所述的方法,其特征在于,所述第二可聚合的組合物包含至少約10重量%的硅。
16.如權利要求11所述的方法,所述方法還包括蝕刻多層疊片來形成凹穴,所述凹穴基本不含殘留物。
17.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一可聚合的組合物包含單官能團可聚合的組分、多官能團可聚合的組分以及光引發劑。
18.如權利要求17所述的方法,其特征在于,所述單官能團可聚合的組分的玻璃化轉變溫度小于約25℃。
19.如權利要求18所述的方法,其特征在于,所述單官能團可聚合的組分的玻璃化轉變溫度小于約0℃。
20.一種用于印刻平版印刷術的多層疊片,該疊片通過以下方法形成:
(i)將第一可聚合的組合物施加到基材上;
(ii)聚合第一可聚合組合物,形成第一聚合層;
(iii)將第二可聚合的組合物施加到第一聚合層;并
(iv)聚合第二可聚合組合物,在第一聚合層上形成第二聚合層;
其中,所述第一可聚合組合物包含可聚合的組分,其玻璃化轉變溫度小于約25℃;和
所述第二可聚合的組合物基本不能透過所述第一聚合層。
21.如權利要求20所述的多層疊片,其特征在于,所述方法還包括內腐蝕和轉印蝕刻所述多層疊片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造