[發明專利]金屬膜的制造方法、金屬膜及其應用有效
| 申請號: | 200880104363.2 | 申請日: | 2008-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN101784696A | 公開(公告)日: | 2010-07-21 |
| 發明(設計)人: | 中島誠二;早瀬哲生;森哲也 | 申請(專利權)人: | 歐姆龍株式會社 |
| 主分類號: | C23C18/18 | 分類號: | C23C18/18;C23C18/20;H01B13/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 張平元 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬膜 制造 方法 及其 應用 | ||
1.一種金屬膜制造方法,其特征在于包括以下步驟:
有機膜形成步驟,將包含具有3個以上反應基團的加成聚合性化合物、 具有酸性基團的加成聚合性化合物、和具有親水性官能團的加成聚合性化 合物的底層組合物涂布在基板或薄膜上,并進行聚合而形成有機膜;
金屬鹽生成步驟,用含有金屬M1離子的水溶液對所述有機膜進行處 理,將所述酸性基團轉化為酸性基團的金屬M1鹽;
金屬固定步驟,通過使用金屬M2離子水溶液,對所述通過含有金屬 M1離子的水溶液處理過的有機膜進行處理,將所述酸性基團的金屬M1 鹽轉化為金屬M2鹽,所述金屬M2離子水溶液含有離子化傾向比所述金 屬M1離子低的金屬M2離子,并且所述金屬M2離子水溶液,包含堿金 屬和/或堿土金屬的離子;
還原步驟,將所述金屬M2離子還原,在所述有機膜表面形成金屬膜;
氧化步驟,將所述金屬膜進行氧化,
所述金屬M1為堿金屬或堿土金屬,
所述金屬M2為銦、鋅、錫中所選的1種以上的金屬,或金、銀、銅、 鎳、鉑、鈷、鐵。
2.一種金屬膜制造方法,其特征在于包括以下步驟:
有機膜形成步驟,將包含具有3個以上反應基團的加成聚合性化合物、 具有酸性基團的加成聚合性化合物、和具有親水性官能團的加成聚合性化 合物的底層組合物涂布在基板或薄膜上,并進行聚合而形成有機膜;
金屬鹽生成步驟,用含有金屬M1離子的水溶液對所述有機膜進行處 理,將所述酸性基團轉化為酸性基團的金屬M1鹽;
金屬固定步驟,通過使用金屬M2離子水溶液,對所述通過含有金屬 M1離子的水溶液處理過的有機膜進行處理,將所述酸性基團的金屬M1 鹽轉化為金屬M2鹽,所述金屬M2離子水溶液含有離子化傾向比所述金 屬M1離子低的金屬M2離子,并且所述金屬M2離子水溶液包含多元醇;
還原步驟,將所述金屬M2離子還原,在所述有機膜表面形成金屬膜;
氧化步驟,將所述金屬膜進行氧化,
所述金屬M1為堿金屬或堿土金屬,
所述金屬M2為銦、鋅、錫中所選的1種以上的金屬,或金、銀、銅、 鎳、鉑、鈷、鐵。
3.根據權利要求1或2所述的金屬膜制造方法,其特征在于:所述底 層組合物中,還含有具有堿性基團的加成聚合性化合物。
4.根據權利要求3所述的金屬膜制造方法,其特征在于:所述堿性基 團是選自氨基、吡啶基、嗎啉基、苯胺基中的1個以上的官能團。
5.根據權利要求1或2所述的金屬膜制造方法,其特征在于:所述氧 化是通過使用紫外線、等離子體或紅外線照射金屬膜,或通過對金屬膜加 溫而進行的。
6.根據權利要求1或2所述的金屬膜制造方法,其特征在于:所述酸 性基團包含選自羧基、磺酸基、酚基、苯甲酸基、鄰苯二甲酸基、水楊酸 基、乙酰水楊酸基以及苯磺酸基中的1個以上的官能團。
7.根據權利要求1或2所述的金屬膜制造方法,其特征在于:所述具 有3個以上反應基團的加成聚合性化合物的反應基為丙烯酰基和/或甲基 丙烯酰基。
8.根據權利要求1或2所述的金屬膜制造方法,其特征在于:所述親 水性官能團包含環氧乙烷基和/或環氧丙烷基。
9.根據權利要求1或2所述的金屬膜制造方法,其特征在于:所述金 屬M1為鉀或鈉。
10.根據權利要求1或2所述的金屬膜制造方法,其特征在于:所述金 屬M2,為選自銦、鋅、錫中的1種以上的金屬。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應產物的化學鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無電流化學鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預處理





