[發(fā)明專利]利用可制造性模型的魯棒設(shè)計(jì)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200880104046.0
• 申請(qǐng)日: 2008-06-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101785011A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·懷特;L·K·謝弗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 凱迪斯設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司
• 主分類號(hào): G06F19/00
• 分類號(hào): G06F19/00
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;王英

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求享有2007年6月27日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)60/946656的權(quán)益，在此通過(guò)引用將其全文并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路(芯片)的設(shè)計(jì)。

背景技術(shù)

在集成電路(IC)的制造設(shè)計(jì)(DFM)中，為設(shè)計(jì)人員提供來(lái)自晶片制造的信息，以便改善產(chǎn)品的最后產(chǎn)率。然而，制造過(guò)程中的變化使得幾乎不可能為設(shè)計(jì)人員提供任何有用信息以預(yù)測(cè)這些變化。因此，需要一種方法和系統(tǒng)來(lái)跟蹤對(duì)晶片之間、工廠(fab)之間的過(guò)程變化的靈敏度。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明包括利用可制造性模型的魯棒設(shè)計(jì)。可以在集成電路設(shè)計(jì)中提供一種方法、系統(tǒng)和/或計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)，以跟蹤對(duì)晶片之間和/或工廠之間的過(guò)程變化的靈敏度，以便輔助設(shè)計(jì)人員預(yù)測(cè)這些變化，從而改善產(chǎn)品的最終產(chǎn)率。

一個(gè)實(shí)施例包括識(shí)別一個(gè)或多個(gè)表征集成電路特征尺度的變化的模型，所述變化是由于一個(gè)或多個(gè)制造過(guò)程和一個(gè)或多個(gè)集成電路設(shè)計(jì)的區(qū)段(section)上的設(shè)計(jì)圖案或特征之間的相互作用造成的。可以組合來(lái)自多個(gè)模型的被表征變化，以產(chǎn)生設(shè)計(jì)的一個(gè)或多個(gè)幾何參數(shù)中變化數(shù)據(jù)的條件分布、范圍或統(tǒng)計(jì)度量。

在其它實(shí)施例中，制造過(guò)程可以代表單個(gè)制造設(shè)施之內(nèi)或來(lái)自多個(gè)制造設(shè)施的一個(gè)或多個(gè)處理工具或流程。制造過(guò)程可以包括半導(dǎo)體器件的制作中使用的化學(xué)機(jī)械拋光、蝕刻、光刻、沉積、注入或電鍍過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)模型。在其它實(shí)施例中，可以針對(duì)如下一項(xiàng)或多項(xiàng)表征所述變化：由于設(shè)計(jì)圖案與制造過(guò)程的相互作用導(dǎo)致的單個(gè)芯片內(nèi)的變化、晶片級(jí)或管芯間的變化、對(duì)于單個(gè)工具或流程而言的晶片之間的變化、對(duì)于工具或流程特定的變化測(cè)量值或?qū)τ谥圃煸O(shè)施特定的變化測(cè)量值。在其它實(shí)施例中，靈敏度可以是利用一個(gè)或多個(gè)分布對(duì)模型表征的變化或被表征變化的統(tǒng)計(jì)特征的給定設(shè)計(jì)或塊的評(píng)估，所述變化例如是范圍、最大值、最小值、標(biāo)準(zhǔn)偏差或平均值。在其它實(shí)施例中，表征給定集成電路設(shè)計(jì)的多個(gè)變體并可以比較它們的靈敏度，可以確定魯棒性水平或可以將結(jié)果用作計(jì)分過(guò)程的一部分。

可以使用一些實(shí)施例來(lái)選擇一種設(shè)計(jì)變體而不是另一種，或者對(duì)集成電路設(shè)計(jì)建議其它修改。可以部分地使用一些實(shí)施例來(lái)為設(shè)計(jì)的幾何參數(shù)表征電氣影響，包括電阻、電容或電感的計(jì)算。可以使用一些實(shí)施例來(lái)確定布線期間的線路形狀或位置，確定設(shè)計(jì)中的偽填充(dummy?fill)的形狀和位置，產(chǎn)生設(shè)計(jì)規(guī)則，設(shè)計(jì)規(guī)則的違反(violation)，預(yù)測(cè)或評(píng)估與包含該區(qū)段的任何設(shè)計(jì)相關(guān)聯(lián)的產(chǎn)率，為基于圖案的熱點(diǎn)匹配產(chǎn)生布局圖案，模擬變化的電氣影響，計(jì)算統(tǒng)計(jì)定時(shí)值，為RC提取生成或修改角部情況(corner?case)，為該區(qū)段的任何部分計(jì)算電阻、電容或電感，評(píng)估該區(qū)段對(duì)環(huán)境的靈敏度，修改該區(qū)段中包含的布局的任何部分，減小該區(qū)段或該區(qū)段之內(nèi)的布局的任何部分對(duì)環(huán)境的靈敏度，評(píng)估設(shè)計(jì)的一個(gè)或多個(gè)級(jí)，生成偽填充形狀和圖案，評(píng)價(jià)環(huán)境對(duì)包括定時(shí)分析、功率和信號(hào)完整性的區(qū)段的電氣影響作為統(tǒng)計(jì)定時(shí)分析的一部分，選擇內(nèi)嵌的第三方IP，評(píng)價(jià)內(nèi)嵌的第三方IP，進(jìn)行物理核對(duì)作為設(shè)計(jì)過(guò)程的一部分，生成設(shè)計(jì)的布線或作為設(shè)計(jì)的布線后優(yōu)化的一部分，或?qū)﹄娮釉O(shè)計(jì)過(guò)程的任何階段期間的區(qū)段進(jìn)行評(píng)估。

另一個(gè)實(shí)施例包括識(shí)別一個(gè)或多個(gè)表征集成電路特征尺度的變化的模型，所述變化是由于一個(gè)或多個(gè)制造過(guò)程和一個(gè)或多個(gè)集成電路設(shè)計(jì)的區(qū)段上的設(shè)計(jì)圖案或特征之間的相互作用造成的。可以提供具有設(shè)計(jì)的區(qū)段和一個(gè)或多個(gè)模型的語(yǔ)境(context)或環(huán)境，以模擬區(qū)段和環(huán)境之間的相互作用。可以對(duì)計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)中模擬相互作用的結(jié)果進(jìn)行存儲(chǔ)。可以組合來(lái)自多個(gè)模型的被表征變化，以產(chǎn)生設(shè)計(jì)的一個(gè)或多個(gè)幾何參數(shù)中變化數(shù)據(jù)的條件分布或統(tǒng)計(jì)度量，所述變化數(shù)據(jù)例如是最大值、最小值、平均值、范圍或標(biāo)準(zhǔn)偏差值。

在一些實(shí)施例中，設(shè)計(jì)的該區(qū)段包括設(shè)計(jì)的單元、宏或塊。在一些實(shí)施例中，可以在計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)中存儲(chǔ)一個(gè)或多個(gè)設(shè)計(jì)或設(shè)計(jì)的區(qū)段或塊的變化和幾何描述，使用數(shù)據(jù)挖掘方法或統(tǒng)計(jì)方法來(lái)檢索和計(jì)算諸如特征厚度或?qū)挾鹊鹊囊粋€(gè)或多個(gè)幾何參數(shù)的諸如最大值、最小值或平均值等的統(tǒng)計(jì)信息。

可以使用一些實(shí)施例來(lái)模擬多個(gè)變化源的影響并確定設(shè)計(jì)、設(shè)計(jì)的區(qū)段或塊或一組設(shè)計(jì)變體或?qū)ψ兓男薷牡聂敯粜浴？梢圆糠质褂靡恍?shí)施例來(lái)選擇一種設(shè)計(jì)、塊設(shè)計(jì)變體或修改而不是另一種。一些實(shí)施例可以